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제품 상세 정보:
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| 결정은 형상을 이룬다: | 4h | 표면 금속 오염: | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11 cm⁻² |
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| 상품 이름: | 6 인치 4H-SiC 기판 n형 | 지름: | 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm |
| 표면 배향: | 비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여' | 1차 플래트 길이: | 47.5mm ±1.5mm |
| 강조하다: | 원문대로 에피 n 형 기판,6 인치 웨이퍼 150.0 밀리미터,6 인치 n 형 기판 |
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전원과 마이크로우를 위한 6 인치 4H-SiC 기판 n형 P-SBD 등급 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 저항률 0.015Ωocm-0.025Ωocm
6 인치 4H-SiC 기판 n형
개관
현재 탄화규소 (SiC)는 넓게 고전력 물건 마이크로파 집적 회로 적용을 위해 사용됩니다. SiC는 또한 심지어 고위 측 전원 물건 마이크로파 집적 회로 기기를 위한 GaN의 열벽 증착기를 위한 기판으로서 사용됩니다. 높은 온도 장치. SiC가 고열 전도성을 가지고 있기 때문에, SiC는 다른 반도체 물질 보다 더 신속히 열기를 식힙니다.
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특성 |
피-모스 등급 | P-SBD 등급 | Ｄ 등급 |
| 결정은 형상을 이룬다 | 4H | ||
| 폴리타입 | 어떤 것도 허락하지 않았습니다 | Area≤5% | |
| (MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| 마법 플레이트 | 어떤 것도 허락하지 않았습니다 | Area≤5% | |
| 6 각형 다결정체 | 어떤 것도 허락하지 않았습니다 | ||
| 포함 a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | 이용 불가능 |
| 저항률 | 0.015Ωocm-0.025Ωocm | 0.015Ωocm-0.025Ωocm | 0.014Ωocm-0.028Ωocm |
| (EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | 이용 불가능 |
| a를 (널어 말리세요) | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | 이용 불가능 |
| (BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | 이용 불가능 |
| (TSD) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | 이용 불가능 |
| 적층 결함 | ≤0.5% 지역 | ≤1% 지역 | 이용 불가능 |
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표면 금속 오염물 |
(Al, Cr, Cu, 아연, Pb, Ti인 Na, Ｋ인 Fe, Ni, Ca, Ｖ, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| 지름 | 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm | ||
| 표면 배향 | 비축 :4' ±0.5를 향하여 <11-20>' | ||
| 1차 플래트 길이 | 47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터 | ||
| 2차 플래트 길이 | 어떤 2차 플래트 | ||
| 1차 플래트 배향 | 평행한 <11-20>to±1' | ||
| 2차 플래트 배향 | 이용 불가능 | ||
| 직각 방향이탈 | ±5.0' | ||
| 표면가공도 | C-표면 :광학 니스, Si 면 :CMP | ||
| 웨이퍼 에지 | 베벨링 | ||
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조도 (10μm×10μm) |
si 면 Ra≤0.20 nm ; Ｃ 표면 Ra≤0.50 nm | ||
| 두께 a | 350.0μm± 25.0 μm | ||
| LTV(10mm×10mm)A | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | |
| a를 (숙이세요) | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| a를 (만곡시키세요) | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| 칩 / 상품 주문 | 어떤 것도 ≥0.5mm 폭과 깊이를 허용하지 않았습니다 | Qty.2 ≤1.0 밀리미터 폭과 깊이 | |
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스크래치 a (Si Face,CS8520) |
≤5과 누적된 Length≤0.5×Wafer 지름 |
≤5과 누적된 Length≤1.5×Wafer 지름 |
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| TUA(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | 이용 불가능 |
| 결함 | 어떤 것도 허락하지 않았습니다 | ||
| 오염물 | 어떤 것도 허락하지 않았습니다 | ||
| 특성 | 피-모스 등급 | P-SBD 등급 | Ｄ 등급 |
| 에지 배제 | 3 밀리미터 | ||
말하세요 : 3 밀리미터 에지 배제는 a와 함께 표시된 항목을 위해 사용됩니다.
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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우리는 공장입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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