중국 GaAs 에피 웨이퍼

2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs 도핑되지 않은 기판 VGF

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N

상품 이름:GaAs(100) 도핑되지 않은 기판
S-C-N 전도성 2인치 GaAs 도핑되지 않은 기판 높은 전자 이동도

상품 이름:GaAs-Si 웨이퍼

행동 유형:S-C-N

도펀트:GaAs-Si
2는 1E18에 비소화 갈륨 언도핑된 기판 비소화 갈륨 epi 웨이퍼 0.4E18으로 조금씩 움직입니다

행동 유형:S-C-N

도펀트:GaAs-Si

오리엔테이션 각도:0°
VGF 비소화 갈륨 언도핑된 기판 2는 비소화 갈륨 si 도판트로 조금씩 움직입니다

상품 이름:GaAs(100) 도핑되지 않은 기판

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N
17 밀리미터 2 인치 GAA epi 웨이퍼 언도핑된 기판 50.8 밀리미터

상품 이름:GaAs-Si 웨이퍼

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N
51mm 2inch GaAs 웨이퍼 도핑되지 않은 기판 7mm IF 길이

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N

상품 이름:GaAs-Si 웨이퍼
VGF 2인치 GaAs 에피 웨이퍼 도핑되지 않은 기판 측면 광택 식각

상품 이름:2인치 GaAs(100) 도핑되지 않은 기판

성장법:VGF

오리엔테이션 각도:0°
광통신 갈륨 비소 기판 LED

상품 이름:GaAs(100) 도핑되지 않은 기판

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N
반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS

상품 이름:GaAs(100) 도핑되지 않은 기판

도펀트:GaAs-Si

오리엔테이션 각도:0°
18 밀리미터 비소화 갈륨 Si 웨이퍼 2는 비소화 갈륨 언도핑된 기판 VGF S-C-N으로 조금씩 움직입니다

상품 이름:GaAs-Si 웨이퍼

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N
JDCD10-001-001 2인치 GaAs(100) 도핑되지 않은 기판

상품 이름:GaAs-Si 웨이퍼

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N
JDCD10-001-002 2인치 GaAs(100) Si 도핑 기판

상품 이름:GaAs-Si 웨이퍼

성장법:VGF

행동 유형:S-C-N

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GaAs 에피 웨이퍼

중국 GaAs 에피 웨이퍼

2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs 도핑되지 않은 기판 VGF

S-C-N 전도성 2인치 GaAs 도핑되지 않은 기판 높은 전자 이동도

2는 1E18에 비소화 갈륨 언도핑된 기판 비소화 갈륨 epi 웨이퍼 0.4E18으로 조금씩 움직입니다

VGF 비소화 갈륨 언도핑된 기판 2는 비소화 갈륨 si 도판트로 조금씩 움직입니다

17 밀리미터 2 인치 GAA epi 웨이퍼 언도핑된 기판 50.8 밀리미터

51mm 2inch GaAs 웨이퍼 도핑되지 않은 기판 7mm IF 길이

VGF 2인치 GaAs 에피 웨이퍼 도핑되지 않은 기판 측면 광택 식각

광통신 갈륨 비소 기판 LED

반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS

18 밀리미터 비소화 갈륨 Si 웨이퍼 2는 비소화 갈륨 언도핑된 기판 VGF S-C-N으로 조금씩 움직입니다

JDCD10-001-001 2인치 GaAs(100) 도핑되지 않은 기판

JDCD10-001-002 2인치 GaAs(100) Si 도핑 기판

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP