중국 원문대로 에피택셜 웨이퍼

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  Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  표면 배향:비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여'

  폴리타입:어떤 것도 허락하지 않았습니다

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  6인치 N형 웨이퍼 P MOS 등급 4H SiC 기판 350.0 ± 25.0um

  상품 이름:SiC 기판

  결정은 형상을 이룬다:4h

  지름:150.0mm+0mm/-0.2mm

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  4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  결정은 형상을 이룬다:4h

  웨이퍼 에지:베벨링

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  Ｐ 수준 SI 유형 6 인치 4H SiC 세미 절연 기판 150 밀리미터

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  결정은 형상을 이룬다:4h

  지름:150.0mm+0.0/-0.2mm

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  4H SiC 에피택셜 웨이퍼 피-모스 등급 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm 47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

  표면 배향:비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여'

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  150mm 4H SiC 웨이퍼 반 절연 기판 6inch 350μm

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  결정은 형상을 이룬다:4h

  지름:150.0mm+0.0/-0.2mm

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  150.0 밀리미터 에피인 +0mm/-0.2mm SiC는 어떤 2차 플래트 3 밀리미터도 웨이퍼로 만들지 않습니다

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

  표면 배향:비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여'

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  N 유형 6inch 4H 실리콘 카바이드 기판 기본 편평한 길이 47.5mm

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  결정은 형상을 이룬다:4h

  지름:150.0mm+0.0/-0.2mm

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  47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터 SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm은 to<11-20>±1을 평행시킵니다'

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

  표면 배향:비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여'

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  6inch 4H SiC 기판 N Type P SBD Grade 350μm

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  결정은 형상을 이룬다:4h

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

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  4H SiC 에피택셜 웨이퍼 0.015Ωocm-0.025ΩoCm ≤4000/cm2150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

  표면 배향:비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여'

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  전력 장치 및 마이크로파 장치용 P 레벨 2인치 SiC 기판

  결정은 형상을 이룬다:4H-N/S

  상품 이름:2 인치 디아미터실리콘 카바이드 (SiC)기판 상술

  지름:50.8mm±0.38mm

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