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원문대로 에피택셜 웨이퍼

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350um 4H SiC 기판

SiC n 형 기판

6 인치 SiC 에피택셜 웨이퍼

중국 원문대로 에피택셜 웨이퍼

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

결정은 형상을 이룬다:4h

표면가공도:C-표면 :광학 니스, Si 면 :CMP
4인치 4H-SiC 기판 P-레벨 N-타입 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 비저항 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm

상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

결정은 형상을 이룬다:4h

지름:100.0mm+0.0/-0.5mm
2인치 전력 장치 고전자 이동성 트랜지스터 에피타시얼 웨이퍼

크기:2 인치

저항성 ((300K):< 350 Ω/□

전자 농도:> 1800cm2/(V·S)
2 인치 GaN에 실리콘 HEMT 에피 웨이퍼에 전력 장치

크기:2 인치

저항성 ((300K):< 350 Ω/□

전자 농도:> 1800cm2/(V·S)
실리콘 HEMT 에피 웨이퍼 전원 장치에 6 인치 GaN 가륨 질산 GaN Si에

크기:6 인치

저항성 ((300K):< 350 Ω/□

전자 농도:> 9.0E12cm-2
블루 LED GaN 오브 실리콘 웨이퍼 블루 레이저 GaN 에피타시얼 웨이퍼

차원:2~4인치

최소 주문 수량:5

포장 세부 사항:질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다
실리콘 녹색 LED 에피 웨이퍼에 2인치 GaN 실리콘에 갈륨 질산

차원:2 인치

최소 주문 수량:5

포장 세부 사항:질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다
2인치 가너 실리콘 블루 LD 에피 웨이퍼 가너 블루 레이저 실리콘

차원:2 인치

최소 주문 수량:5

포장 세부 사항:질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다
실리콘에 GaN 보라색 레이저 2 인치 실리콘 HEMT 에피 웨이퍼 UV LD 에피 웨이퍼에 GaN

크기:2 인치

IQE:알 수 없음

내부 손실:미지의 것
알가안 장벽 실리콘 HEMT 에피 웨이퍼 갈륨 나이트라이드 GaN-on-Si에 4 인치 GaN

크기:2 인치

저항성 ((300K):< 350 Ω/□

전자 농도:> 9.0E12cm-2
4인치 UGaN를 실리콘 비도핑 갈리엄 나이트라이드 위에 실리콘 에피타시얼 웨이퍼

차원:4 인치

비크리스털리002:<550arcsec

비클리탈102:<550arcsec
4인치 GaN 실리콘 그린 LED 에피 웨이퍼 SiC 에피타시얼 웨이퍼

최소 주문 수량:5

가격:1000

포장 세부 사항:질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다

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350um 4H SiC 기판

SiC n 형 기판

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중국 원문대로 에피택셜 웨이퍼

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

4인치 4H-SiC 기판 P-레벨 N-타입 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 비저항 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm

2인치 전력 장치 고전자 이동성 트랜지스터 에피타시얼 웨이퍼

2 인치 GaN에 실리콘 HEMT 에피 웨이퍼에 전력 장치

실리콘 HEMT 에피 웨이퍼 전원 장치에 6 인치 GaN 가륨 질산 GaN Si에

블루 LED GaN 오브 실리콘 웨이퍼 블루 레이저 GaN 에피타시얼 웨이퍼

실리콘 녹색 LED 에피 웨이퍼에 2인치 GaN 실리콘에 갈륨 질산

2인치 가너 실리콘 블루 LD 에피 웨이퍼 가너 블루 레이저 실리콘

실리콘에 GaN 보라색 레이저 2 인치 실리콘 HEMT 에피 웨이퍼 UV LD 에피 웨이퍼에 GaN

알가안 장벽 실리콘 HEMT 에피 웨이퍼 갈륨 나이트라이드 GaN-on-Si에 4 인치 GaN

4인치 UGaN를 실리콘 비도핑 갈리엄 나이트라이드 위에 실리콘 에피타시얼 웨이퍼

4인치 GaN 실리콘 그린 LED 에피 웨이퍼 SiC 에피타시얼 웨이퍼

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP