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제품 상세 정보:
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| 차원: | 50.8 ± 1 밀리미터 | 두께: | 350 ±25um |
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| TTV: | ≤ 10 um | 활: | ≤ 20 μm |
| 대형 결함밀도: | 0cm⁻² | 사용가능 영역: | > 90% (에지 배제) |
| 상품 이름: | 프리-스탠딩 GaN 기판 | 전위 밀도: | 1x 105에서부터 3 Ｘ 106cm2 (CL에 의해 계산되) |
| 강조하다: | 350um GaN 에피택셜 웨이퍼,독립형 GaN 기판,GaN 에피택셜 웨이퍼 10 X 10.5 mm2 |
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2인치 C면 Fe 도핑 SI형 독립형 GaN 단결정 기판 비저항 > 106Ω·cm RF 장치
Fe 트래핑 캐리어와 AlGaN과 GaN의 계면에서 생성된 2차원 전자 가스의 시트 저항을 줄이기 위해 Fe 도핑 및 도핑되지 않은 GaN 이중 에피층의 두께 비율도 최적화되었습니다.Fe 도핑된 GaN의 최적 도핑 농도와 도핑되지 않은 GaN의 적절한 두께를 갖는 AlGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터가 성공적으로 개발되었습니다.
| 2인치자유로운 무대SI-GaN 에스기판 | ||||||||
| 이자형훌륭하다레벨(S) | 생산 수준(A) | 연구 수준(B) | 더미 레벨(C) |
메모: (1) 사용 가능 영역: 에지 및 매크로 결함 제외 (2) 3점: 위치(2, 4, 5)의 미스컷 각도는 0.35 ± 0.15영형 |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | |||||
| 치수 | 50.8 ± 1mm | |||||||
| 두께 | 350±25μm | |||||||
| 오리엔테이션 플랫 | (1-100) ± 0.5영형, 16±1mm | |||||||
| 보조 방향 평면 | (11-20) ± 3영형, 8 ± 1mm | |||||||
| 비저항(300K) | > 1x106반 절연용 Ω·cm(Fe 도핑, GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | ≤ 15μm | |||||||
| 절하다 | ≤ 20μm | ≤ 40μm | ||||||
| Ga 표면 거칠기 |
< 0.2nm(광택) 또는 < 0.3 nm(에피택시를 위한 연마 및 표면 처리) |
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| N면 표면 거칠기 |
0.5~1.5㎛ 옵션: 1~3 nm(미세 접지);< 0.2nm(광택) |
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| 패키지 | 단일 웨이퍼 컨테이너의 클린룸에서 포장 | |||||||
| 사용 가능한 영역 | > 90% | >80% | >70% | |||||
| 탈구밀도 | <9.9x105센티미터-2 | <3x106센티미터-2 | <9.9x105센티미터-2 | <3x106센티미터-2 | <3x106센티미터-2 | |||
| 오리엔테이션:C 평면(0001) M축 방향 오프 각도 |
0.35 ± 0.15영형 (3점) |
0.35 ± 0.15영형 (3점) |
0.35 ± 0.15영형 (3점) |
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| 매크로 결함 밀도(구멍) | 0cm-2 | < 0.3cm-2 | 1cm 미만-2 | |||||
| 매크로 결함의 최대 크기 | < 700μm | < 2000μm | < 4000μm | |||||
* 중국 국가 표준(GB/T32282-2015)
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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