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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판 | 차원: | 50.8 ± 1 밀리미터 |
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| 두께: | 350 ± 25μm | 배향 평판: | (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1 밀리미터 |
| 종속 정위 플랫: | (11-20) ± 3˚, 8 ± 1 밀리미터 | Ga 표면부 거칠기: | < 0=""> |
| 강조하다: | 375um GaN 에피택셜 웨이퍼,질화갈륨 웨이퍼 UKAS,GaN 에피택셜 웨이퍼 50.8mm |
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350 ± 25μm(11-20) ± 3영형, 8 ± 1mm 2인치 독립형 U-GaN/SI-GaN 기판
2인치 C면 도핑되지 않은 n형 독립형 GaN 단결정 기판 비저항 < 0.1 Ω·cm 전력 장치/레이저 웨이퍼
개요
반도체 재료 산업의 표준은 원자력 현미경으로 GaN 단결정 기판의 표면 거칠기를 테스트하는 방법을 규정하고 있으며, 이는 화학 기상 증착 및 기타 방법으로 10nm 미만의 표면 거칠기를 가진 GaN 단결정 기판에 적용됩니다.
| 2인치 독립형 U-GaN/SI-GaN 기판 | |||||||
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엑설런트 레벨(S) |
생산 수준(A) |
연구 레벨(B) |
가짜의 레벨(C) |
메모: (1) 사용 가능 영역: 에지 및 매크로 결함 제외 (2) 3점: 위치(2, 4, 5)의 미스컷 각도는 0.35 ± 0.15영형 |
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| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| 치수 | 50.8 ± 1mm | ||||||
| 두께 | 350±25㎛ | ||||||
| 오리엔테이션 플랫 | (1-100) ± 0.5영형, 16±1mm | ||||||
| 보조 방향 평면 | (11-20) ± 3영형, 8 ± 1mm | ||||||
| 비저항(300K) |
N형의 경우 < 0.5Ω·cm(도핑되지 않음, GaN-FS-CU-C50) 또는 > 1 x 106반 절연용 Ω·cm(Fe 도핑, GaN-FS-C-SI-C50) |
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| TTV | ≤ 15μm | ||||||
| 절하다 | ≤ 20μm ≤ 40μm | ||||||
| Ga 표면 거칠기 |
< 0.2nm(광택) 또는 < 0.3 nm(에피택시를 위한 연마 및 표면 처리) |
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| N면 표면 거칠기 |
0.5~1.5㎛ 옵션: 1~3 nm(미세 접지);< 0.2nm(광택) |
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| 패키지 | 단일 웨이퍼 컨테이너의 클린룸에서 포장 | ||||||
| 사용 가능한 영역 | > 90% | >80% | >70% | ||||
| 전위 밀도 | <9.9x105센티미터-2 | <3x106센티미터-2 | <9.9x105센티미터-2 | <3x106센티미터-2 | <3x106센티미터-2 | ||
| 오리엔테이션:C 평면(0001) M축 방향 오프 각도 |
0.35 ± 0.15영형 (3점) |
0.35 ± 0.15영형 (3점) |
0.35 ± 0.15영형 (3점) |
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| 매크로 결함 밀도(구멍) | 0cm-2 | < 0.3cm-2 | 1cm 미만-2 | ||||
| 매크로 결함의 최대 크기 | < 700μm | < 2000μm | < 4000μm | ||||
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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