중국 실리콘 웨이퍼

0.001-100 ohm-cm 실리콘 웨이퍼 P 유형 붕소 불순물

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
개별 소자 Si 기판 주가 수익률 P/P E/E G/G 서피스는 끝났습니다

성장법:CZ

지름:2"

등급:프라임
중요한 2 " 실리콘 웨이퍼 표준 <10 μm 최대 Capabilities<5um

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
Microelectronic 279um 실리콘 에피택셜 웨이퍼 기본 기판

등급:프라임

성장법:CZ

타입 / 불순물:Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다
앤형 포스 실리콘 웨이퍼 3 " 두께 279 um 380 um 525 um 625 um

타입 / 불순물:Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다

두께(μm):279

두께 공차:표준 ± 25μm, 최대 성능 ± 5μm
앤형 / 투루로서의 4 5 6 " Si 웨이퍼 p 형 / 붕소 앤형 /

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
성장법 CZ 실리콘 웨이퍼 5 " 배향 <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
반도체 장치 2 인치 실리콘 기판 웨이퍼 8'' 12''

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
앤형 Sb 엔은 실리콘 웨이퍼 6 인치 8 인치로서 타이핑합니다

성장법:CZ

배향:<1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0>

타입 / 불순물:Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다
CZ 실리콘 반도체 기판 380 um 525 um 625 um

배향:<1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0>

두께(μm):279

두께 공차:표준 ± 25μm, 최대 성능 ± 5μm
12 인치 실리콘 웨이퍼 p 형 붕소 앤형 포스

지름:12"

등급:프라임

성장법:CZ
실리콘 8 인치 웨이퍼 표면은 주가 수익률 P/P E/E G/G를 완성했습니다

지름:8"

등급:프라임

성장법:CZ

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실리콘 웨이퍼

중국 실리콘 웨이퍼

0.001-100 ohm-cm 실리콘 웨이퍼 P 유형 붕소 불순물

개별 소자 Si 기판 주가 수익률 P/P E/E G/G 서피스는 끝났습니다

중요한 2 " 실리콘 웨이퍼 표준 <10 μm 최대 Capabilities<5um

Microelectronic 279um 실리콘 에피택셜 웨이퍼 기본 기판

앤형 포스 실리콘 웨이퍼 3 " 두께 279 um 380 um 525 um 625 um

앤형 / 투루로서의 4 5 6 " Si 웨이퍼 p 형 / 붕소 앤형 /

성장법 CZ 실리콘 웨이퍼 5 " 배향 <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>

반도체 장치 2 인치 실리콘 기판 웨이퍼 8'' 12''

앤형 Sb 엔은 실리콘 웨이퍼 6 인치 8 인치로서 타이핑합니다

CZ 실리콘 반도체 기판 380 um 525 um 625 um

12 인치 실리콘 웨이퍼 p 형 붕소 앤형 포스

실리콘 8 인치 웨이퍼 표면은 주가 수익률 P/P E/E G/G를 완성했습니다

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP