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제품 상세 정보:
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| 성장법: | CZ | 지름: | 2" |
|---|---|---|---|
| 등급: | 프라임 | 배향: | <1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0> |
| 두께(μm): | 279 | 두께 공차: | 표준 ± 25μm, 최대 성능 ± 5μm |
| 저항률: | 0.001-100 옴-센티미터 | 서피스는 끝났습니다: | P/E,P/P,E/E,G/G |
| 강조하다: | 개별 소자 Si 기판,실리콘 100 기판,Si 기판 주가 수익률 |
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개별 소자 2-인치 실리콘 웨이퍼 P/E,P/P,E/E,G/G 서피스는 끝났습니다
2-인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 디바이스, 집적 회로, 개별 소자를 위한 헌신적 기판
개관
실리콘은 도대체 두번째로 가장 공통 요소이고 그것이 전체 우주에 일곱번째 대부분의 공통 요소입니다. 그것은 가장 공통 반도체고 전자적이고 기술 부문에 가장 폭넓게 사용된 것 입니다.
불순물의 성장 방법 계획적 추가 동안에게 추가될 수 있습니다 그 그것의 목적이 무엇이 될지 달려있어 실리콘의 순도를 바꿉니다. 이러한 도입된 음란은 실리콘의 전기적 성질을 바꿀 수 있으며, 그것이 실리콘이 궁극적으로 생산되고 있는 것 따라 유용할 수 있습니다.
상술
| 실리콘 웨이퍼 | |
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지름
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2 /3 /4 /5 /6 /8 /12" |
| 등급 | 프라임 |
| 성장법 | CZ |
| 배향 | <1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0> |
| 타입 / 불순물 | Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다 |
| 두께(μm) | 279/380/525/625/675/725/775 |
| 두께 공차 | 표준 ± 25μm, 최대 카파빌리트 / 이스 ± 5μm |
| 저항률 | 0.001-100 옴-센티미터 |
| 서피스는 끝났습니다 | P/E,P/P,E/E,G/G |
| TTV(μm) | 표준 <10> |
| 활 / 날실 | 표준 <40> |
| 입자 | <10> |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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입금 <>
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