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GaN 에피택셜 웨이퍼

제일 제품

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

차원:50.8 ± 1 밀리미터

상품 이름:프리-스탠딩 GaN 기판

두께:350 ±25um
Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ±25um

활:- 10 um ≤ 활 ≤ 10 um
2인치 독립형 SI-GaN 기판

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
갈륨 나이트라이드 반도체 웨이퍼 325 um 375 um Ｃ 비행기

상품 이름:갈륨-질소 단결정체 기판

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ±25um
375um GaN 에피택셜 웨이퍼 프리 스탠딩 U-GaN SI-GaN 기판

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ± 25μm
2 인치 Ｕ GaN 기판 SI GaN 기판 50.8 밀리미터

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ± 25μm
단일 결정 GaN 에피택셜 웨이퍼 2 인치 Ｃ는 유엔 도핑된 앤형에 직면합니다

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ± 25μm
50.8 밀리미터 질화갈륨 반도체 웨이퍼 2 인치 자립형

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판

Ga 표면부 거칠기:< 0="">

배향 평판:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1 밀리미터
자립형 Ｕ / SI GaN 에피택셜 웨이퍼 50.8 밀리미터 350 um

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ± 25μm
SP 페이스 5 X 10mm2 질화 갈륨 기판 350um

상품 이름:프리-스탠딩 GaN 기판

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
5x10mm2 GaN 에피택셜 웨이퍼 비도핑 SI 유형

상품 이름:프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
GaN 단결정 갈륨 질화물 웨이퍼 SI 유형

차원:5 Ｘ 10mm2

상품 이름:프리-스탠딩 GaN 기판

두께:350 ±25um

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GaN 에피택셜 웨이퍼

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

갈륨 나이트라이드 반도체 웨이퍼 325 um 375 um Ｃ 비행기

375um GaN 에피택셜 웨이퍼 프리 스탠딩 U-GaN SI-GaN 기판

2 인치 Ｕ GaN 기판 SI GaN 기판 50.8 밀리미터

단일 결정 GaN 에피택셜 웨이퍼 2 인치 Ｃ는 유엔 도핑된 앤형에 직면합니다

50.8 밀리미터 질화갈륨 반도체 웨이퍼 2 인치 자립형

자립형 Ｕ / SI GaN 에피택셜 웨이퍼 50.8 밀리미터 350 um

SP 페이스 5 X 10mm2 질화 갈륨 기판 350um

5x10mm2 GaN 에피택셜 웨이퍼 비도핑 SI 유형

GaN 단결정 갈륨 질화물 웨이퍼 SI 유형

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP