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제품 상세 정보:
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상품 이름: | 2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판 | Ga 표면부 거칠기: | < 0=""> |
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배향 평판: | (1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1 밀리미터 | 차원: | 50.8 ± 1 밀리미터 |
두께: | 350 ± 25μm | 종속 정위 플랫: | (11-20) ± 3˚, 8 ± 1 밀리미터 |
강조하다: | 갈륨 질화물 반도체 웨이퍼,50.8 밀리미터 GaN 기판,반도체는 2 인치를 웨이퍼로 만듭니다 |
50.8 ± 1 밀리미터 2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판 (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 밀리미터
2 인치 C-표면 도프하지 않은 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정 기판 저항률 < 0="">
개관
GaN 항복 전계
더 높은 항복 전계는 갈륨 나이트라이드가 고전력 제품과 같은 높은 전압 회로에 실리콘 위에서 뛰어나는 것을 의미합니다. 더 의미 심장하게 작은 발자국을 유지하는 동안 제조들과 엔지니어들은 또한 비슷한 전압 적용에서 GaN을 사용할 수 있습니다.
2 인치 프리-스탠딩 U-간 / SI-간 기판 | |||||||
우수한 레벨 (S) |
생산 수준(A) |
조사 수준 (B) |
가상 수준 (C) |
기록 : (1) 사용가능 영역 : 모서리와 대형 결점 배제 (2) 3 점 : 위치들의 미스컷 앵글은 (2, 4, 5)는 0.35 ± 0.15o입니다 |
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S-1 | 작전과 | A-1 | A-2 | ||||
차원 | 50.8 ± 1 밀리미터 | ||||||
두께 | 350 ± 25 μm | ||||||
배향 평판 | (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 밀리미터 | ||||||
종속 정위 플랫 | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 밀리미터 | ||||||
저항률 (300K) |
< 0=""> 또는 반 절연을 위한 > 1 X 106 Ω·cm (철 첨가 ; GaN-FS-C-SI-C50) |
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TTV | ≤ 15 μm | ||||||
활 | ≤ 20 μm ≤ 40 μm | ||||||
Ga 표면부 거칠기 |
< 0=""> 또는 < 0=""> |
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엔 표면부 거칠기 |
0.5 ~1.5 μm 선택 : 1~3 nm (미세 지면) ; < 0=""> |
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패키지 | 매엽 컨테이너에서 고청정실에서 패키징됩니다 | ||||||
사용가능 영역 | > 90% | >80% | >70% | ||||
전위 밀도 | <9>5 cm-2 | <3x10>6 cm-2 | <9>5 cm-2 | <3x10>6 cm-2 | <3x10>6 cm-2 | ||
배향 :M-주축을 향한 각도에서 떨어져 있는 C 비행기 (0001) |
0.35 ± 0.15o (3 점) |
0.35 ± 0.15o (3 점) |
0.35 ± 0.15o (3 점) |
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대형 결함밀도 (홀) | 0 cm-2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | ||||
대형 결점의 맥스 사이즈 | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
큐 : 오랫동안 당신의 배달 시간은 어떻습니까?
일반적으로 상품이 주식에 있다면 그것은 3-5 일입니다.
또는 상품이 주식에 없으면 그것은 7-10 일입니다, 양에 따른 중입니다.
큐 : 당신은 샘플을 제공합니까 ? 그것이 자유롭거나 여분입니까 ?
예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
큐 : 당신의 결제 조건이 무엇입니까 ?
입금 <>
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