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free standing gan substrates 온라인 제조

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구입하다 비 도핑된 GaN 에피택셜 웨이퍼 M 페이스 프리 스탠딩 GaN 기판 온라인으로 제조업체

비 도핑된 GaN 에피택셜 웨이퍼 M 페이스 프리 스탠딩 GaN 기판
접촉

5 X 10 mm2 M Face Free-Standing GaN Substrates 350 ±25 µm TTV ≤ 10 µm 5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate ... 자세히보기
2023-02-17 10:52:50
구입하다 10 X 10.5 mm2 자유자재 GaN 기판 - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm 온라인으로 제조업체

10 X 10.5 mm2 자유자재 GaN 기판 - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm
접촉

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Applications Laser diodes: ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:50
구입하다 두께 350 ±25 µm 10 X 10.5 mm2 독립형 GaN 기판 온라인으로 제조업체

두께 350 ±25 µm 10 X 10.5 mm2 독립형 GaN 기판
접촉

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview GaN Substrates GaN ... 자세히보기
2025-04-04 22:43:28
구입하다 표면 GaN 에피택셜 웨이퍼 무료 세우는 GaN 기판 온라인으로 제조업체

표면 GaN 에피택셜 웨이퍼 무료 세우는 GaN 기판
접촉

5*10.5mm2 A Face Free-Standing GaN Substrates Thickness 350 ±25 µm 5*10.5mm2 A-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate ... 자세히보기
2023-02-17 10:57:06
구입하다 2인치 독립형 SI-GaN 기판 온라인으로 제조업체

2인치 독립형 SI-GaN 기판
접촉

2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices To reduce the Fe trapping carrier and the ... 자세히보기
2024-10-14 17:06:30
구입하다 Ｍ 표면 GaN 에피택셜 웨이퍼 자립형 GaN 기판 325 um TTV 10 um 온라인으로 제조업체

Ｍ 표면 GaN 에피택셜 웨이퍼 자립형 GaN 기판 325 um TTV 10 um
접촉

5*10.5mm2 M-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride ... 자세히보기
2022-10-08 17:04:46
구입하다 10 X 10.5 mm2 C 얼굴 비 도핑 N 유형 자유 서 있는 GaN 단일 크리스탈 기판 온라인으로 제조업체

10 X 10.5 mm2 C 얼굴 비 도핑 N 유형 자유 서 있는 GaN 단일 크리스탈 기판
접촉

10*10.5mm² C-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser Overview Premium quality GaN ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:50
구입하다 TTV ≤ 10μm A-Face 무도핑 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 저항성 0.1 Ω·cm 전력 장치/레이저 W 온라인으로 제조업체

TTV ≤ 10μm A-Face 무도핑 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 저항성 0.1 Ω·cm 전력 장치/레이저 W
접촉

5*10mm2 A-face Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium nitride ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 매크로 결함 밀도 0cm−2 비 도핑된 SI형 자립 GaN 단일 크리스탈 기판 RF 장치 5*10mm2 M면 온라인으로 제조업체

매크로 결함 밀도 0cm−2 비 도핑된 SI형 자립 GaN 단일 크리스탈 기판 RF 장치 5*10mm2 M면
접촉

5*10mm2 M-face Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Overview Thin Epi wafers are ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm 저항성 0.05 Ω·cm 온라인으로 제조업체

5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm 저항성 0.05 Ω·cm
접촉

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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