중국 사파이어 웨이퍼

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  50 밀리미터 사파이어 웨이퍼 R9 반사경은 EPI 준비된 웨이퍼 에지 Ｒ 타입을 닦았습니다

  지름:50.8 ±0.10

  표면 배향:A-plane(11-20)

  레이저 마크:요구된 고객으로서

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  티에치케이 430 um 사파이어 기판 결정 방위 C/M0.2

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430±15μm

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  평면 표면 방향 사파이어 웨이퍼 거울 광택 EPI 준비

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430 ±15μm

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  고순도 Al2O3 50mm 사파이어 기판 웨이퍼 Thk 430μm

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430±15μm

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  평면 사파이어 웨이퍼 거울 광택 EPI 준비

  상품 이름:사파이어 기판 웨이퍼

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

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  닦인 EPI 준비된 사파이어 기판 웨이퍼 에지 Ｒ 유형 미러

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430 ±10μm

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  결정 방향 C/M0.2 사파이어 웨이퍼 Thk 440μm

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430 ±10μm

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  평평한 사파이어 기판 웨이퍼 티에치케이 440 um OF 길이 (밀리미터) 16개 LED 칩

  표면 배향:A-plane(11-20)

  상품 이름:50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

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  고순도 Al2O3>99.995% 사파이어 웨이퍼 거울 연마 EPI 준비

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430 ±15μm

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  결정 방위 C/M0.2 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼 티에치케이 420 um

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430 ±15μm

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  R Type 50mm 사파이어 웨이퍼 두께 420μm OF 길이(mm) 16 LED chip

  상품 이름:사파이어 기판 웨이퍼

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  웨이퍼 에지:R-타입

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  광전자 공학 연마 사파이어 크리스탈 웨이퍼 R 유형

  표면 배향:A-plane(11-20)

  재료:고순도 Al2O3(>99.995%)

  두께:430 ±15μm

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