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제품 상세 정보:
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| 지름: | 50.8 ±0.10 | 표면 배향: | A-plane(11-20) |
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| 레이저 마크: | 요구된 고객으로서 | 웨이퍼 에지: | R-타입 |
| 재료: | 고순도 Al2O3(>99.995%) | 두께: | 430 ±15μm |
| 강조하다: | 50 밀리미터 사파이어 웨이퍼,반사경은 EPI 준비된 웨이퍼를 닦았습니다,사파이어 웨이퍼 R9 |
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고순도 Al2O3>99.995% R9 반사경은 에피레디 웨이퍼 에지 R-타입을 닦았습니다
JDCD08-001-001 지름 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼, 티에치케이 430μm, 결정 방위 C/M0.2, OF 길이 (밀리미터) 16개 LED 칩, 기판 물질
실리콘 (Si)와 게르마늄 (Ge)의 고성능에 기반을 둔 장치는 성능에 매우 빠르기 위한 칩셋트를 허락하는 사파이어 기판을 통하여 가능하게 될 수 있습니다. Si와 Ge 이 존재는 칩셋트에서 전자의 고이동성과 낮은 쌍을 이루는 결함 밀도를 보증합니다. 실리콘-게르마늄 장치에서 전자 이동도는 Si 장치의 경우에 보다 더 높습니다.
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매개 변수 |
상술 | ||
| 유닛 | 타겟 | 허용한도 | |
| 재료 | 고순도 Al2O3(>99.995%) | ||
| 지름 | 밀리미터 | 50.8 | ±0.10 |
| 두께 | μm | 430 | ±15 |
| 표면 배향 | 씨 플레인(0001) | ||
| -떨어져서 M-주축을 | 급 | 0.20 | ±0.10 |
| -떨어져서 A-주축을 | 급 | 0.00 | ±0.10 |
| 플랫 배향 | A-plane(11-20) | ||
| -평평한 오프-셋 각 | 급 | 0.0 | ±0.2 |
| 평평한 길이 | 밀리미터 | 16.0 | ±1 |
| R-비행기 | R9 | ||
| 전면 거칠기(Ra) | 별거 안 해 | <0.3 | |
| 뒷 표면 거칠기 | μm | 0.8~1.2μm | |
| 전면 품질 | 에피레디인 닦인 반사경 | ||
| 웨이퍼 에지 | R-타입 | ||
| 챔퍼 크기 | μm | 80-160 | |
| 평판 에지와 원형 에지 사이의 날끝각 라디안 | 밀리미터 | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV(5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| 활 | μm | 0~-5 | |
| 날실 | μm | ≤10 | |
| 레이저 마크 | 요구된 고객으로서 | ||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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