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제품 상세 정보:
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| 표면 배향: | A-plane(11-20) | 재료: | 고순도 Al2O3(>99.995%) |
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| 두께: | 430 ±10μm | R-비행기: | R9 |
| 지름: | 50.8 ±0.10 | 웨이퍼 에지: | R-타입 |
| 강조하다: | EPI 준비된 사파이어 기판,양면 연마 웨이퍼 430 um,사파이어 기판 반사경은 광택이 났습니다 |
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에피레디인 닦은 티에치케이 430μm 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼 웨이퍼 에지 R-타입 반사경
JDCD08-001-001 지름 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼, 티에치케이 430μm, 결정 방위 C/M0.2, OF 길이 (밀리미터) 16개 LED 칩, 기판 물질
사파이어는 가장 다양한 반도체가 다른 장치에서 사용되고 있는 이후로 적당한 요즘입니다. 스마트폰, 디지털 카메라, 세탁기, LED 전구와 냉장고와 같은 디지털 통신 제품은 반도체를 이용하고 있습니다.
집적 회로가 결여된 극소수의 전자 장치가 또한 있습니다. 시간이 경과한 것처럼, 더 많은 개발은 사파이어 기판의 분야에서 개최될 것입니다.
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매개 변수 |
상술 | ||
| 유닛 | 타겟 | 허용한도 | |
| 재료 | 고순도 Al2O3(>99.995%) | ||
| 지름 | 밀리미터 | 50.8 | ±0.10 |
| 두께 | μm | 430 | ±15 |
| 표면 배향 | 씨 플레인(0001) | ||
| -떨어져서 M-주축을 | 급 | 0.20 | ±0.10 |
| -떨어져서 A-주축을 | 급 | 0.00 | ±0.10 |
| 플랫 배향 | A-plane(11-20) | ||
| -평평한 오프-셋 각 | 급 | 0.0 | ±0.2 |
| 평평한 길이 | 밀리미터 | 16.0 | ±1 |
| R-비행기 | R9 | ||
| 전면 거칠기(Ra) | 별거 안 해 | <0.3 | |
| 뒷 표면 거칠기 | μm | 0.8~1.2μm | |
| 전면 품질 | 에피레디인 닦인 반사경 | ||
| 웨이퍼 에지 | R-타입 | ||
| 챔퍼 크기 | μm | 80-160 | |
| 평판 에지와 원형 에지 사이의 날끝각 라디안 | 밀리미터 | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV(5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| 활 | μm | 0~-5 | |
| 날실 | μm | ≤10 | |
| 레이저 마크 | 요구된 고객으로서 | ||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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