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제품 상세 정보:
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| 차원: | 50.8 ± 1 밀리미터 | 두께: | 350 ±25um |
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| 활: | - 10 um ≤ 활 ≤ 10 um | 대형 결함밀도: | 0cm⁻² |
| 사용가능 영역: | > 90% (에지 배제) | 상품 이름: | 프리-스탠딩 GaN 기판 |
| 중국의 국가 표준: | GB/T32282-2015 | ||
| 강조하다: | ISO GaN 기판,갈륨-질소 반도체 웨이퍼,Fe 도핑된 gan 기판 |
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2 인치 C-표면 철 첨가 SI-타입 자유 고정 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106 Ω·cm RF 장치
철 첨가 GaN 에피택셜 레이어의 완성된 항복 전압은 2457 Ｖ만큼 높으며, 그것이 더 높은 저항과 철 첨가 GaN 에피택셜 레이어에 원인이 있으며, 그것이 고항복 전압을 유지할 수 있습니다. 고항복 전압 장치를 위해 사용된 표면 형태와 Fe 농도와 철 첨가 GaN 에피택셜 레이어의 두께 사이의 상호관계에 대한 세부 사항은 또한 본 논문에서 논의될 것입니다.
| 2 인치 프리-스탠딩 SI-간 기판 | ||||||||
| 우수한 레벨 (S) | 생산 수준 (A) | 연구 수준 (B) | 의수준 (C) |
기록 : (1) 사용가능 영역 : 모서리와 대형 결점 배제 (2) 3 점 : 위치들의 미스컷 앵글은 (2, 4, 5)는 0.35 ± 0.15o입니다 |
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| S-1 | 작전과 | A-1 | A-2 | |||||
| 차원 | 50.8 ± 1 밀리미터 | |||||||
| 두께 | 350 ± 25 μm | |||||||
| 배향 평판 | (1-100) ± 0.5o, 16 ± 1 밀리미터 | |||||||
| 종속 정위 플랫 | (11-20) ± 3o, 8 ± 1 밀리미터 | |||||||
| 저항률 (300K) | 반 절연을 위한 > 1 Ｘ 106 Ω·cm (철 첨가 ; GaN-FS-C-SI-C50) | |||||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||||
| 활 | ≤ 20 μm | ≤ 40 μm | ||||||
| Ga 표면부 거칠기 |
< 0=""> 또는 < 0=""> |
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| 엔 표면부 거칠기 |
0.5 ~1.5 μm 선택 : 1~3 nm (미세 지면) ; < 0=""> |
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| 패키지 | 매엽 컨테이너에서 고청정실에서 패키징됩니다 | |||||||
| 사용가능 영역 | > 90% | >80% | >70% | |||||
| 전위 밀도 | <9>x105 cm-2 | <3x10>6 cm-2 | <9>5 cm-2 | <3>x106 cm-2 | <3x10>6 cm-2 | |||
| 배향 :M-주축을 향한 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001) |
0.35 ± 0.15o (3 점) |
0.35 ± 0.15o (3 점) |
0.35 ± 0.15o (3 점) |
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| 대형 결함밀도 (홀) | 0 cm-2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | |||||
| 대형 결점의 맥스 사이즈 | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | |||||
* 중국 (GB/T32282-2015)의 국가 표준
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우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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입금 <>
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