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제품 상세 정보:
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| 표면 배향: | A-plane(11-20) | 상품 이름: | 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼 |
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| 재료: | 고순도 Al2O3(>99.995%) | 두께: | 430±10μm |
| R-비행기: | R9 | 지름: | 50.8 ±0.10 |
| 강조하다: | 사파이어 기판 440 um,단결정 사파이어 50 밀리미터,평평한 사파이어 기판 |
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50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼 티에치케이 430μm OF 길이 (Mm) 16개 LED 칩
JDCD08-001-001 지름 50 밀리미터 사파이어 기판 웨이퍼, 티에치케이 430μm, 결정 방위 C/M0.2, OF 길이 (밀리미터) 16개 LED 칩, 기판 물질
물질은 성장되고 방향이 지정되고 기판이 웨이퍼에서 한쪽 또는 양쪽 측에 극단적으로 매끄러운 데미지 프리 에피레디 표면에 제조되고 닦입니다. 지름이 이용 가능한 다양한 웨이퍼 방향과 최고 6까지 사이즈 ".
A-플레인 사파이어 기판 - 보통 획일적 유전체 상수와 대단히 절연성 특성을 요구하여 하이브리드 마이크로전자 응용을 위해 사용됩니다.
씨 플레인 기판 - 라이볼-V를 위해 사용되는 경향이 있으세요, 그러면 밝을 위한 GaN과 같은, 볼-프들 합성물은 LED와 레이저 다이오드를 청색화하고 녹색으로 만듭니다.
R-비행기 기판 - 이것들은 마이크로 전자 공학 IC 애플리케이션에서 사용된 실리콘의 헤테로-에피텍시얼 기탁에 적합합니다.
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매개 변수 |
상술 | ||
| 유닛 | 타겟 | 허용한도 | |
| 재료 | 고순도 Al2O3(>99.995%) | ||
| 지름 | 밀리미터 | 50.8 | ±0.10 |
| 두께 | μm | 430 | ±10 |
| 표면 배향 | A-plane(11-20) | ||
| -떨어져서 M-주축을 | 급 | 0.00 | ±0.10 |
| -떨어져서 A-주축을 | 급 | 0.00 | ±0.10 |
| 플랫 배향 | 씨 플레인(0001) | ||
| -평평한 오프-셋 각 | 급 | 0.0 | ±0.2 |
| 평평한 길이 | 밀리미터 | 16.0 | ±1 |
| R-비행기 | R9 | ||
| 전면 거칠기(Ra) | 별거 안 해 | <0.3 | |
| 뒷 표면 거칠기 | μm | 0.9~1.2μm | |
| 전면 품질 | 에피레디인 닦인 반사경 | ||
| 웨이퍼 에지 | R-타입 | ||
| 챔퍼 크기 | μm | 80-160 | |
| 평판 에지와 원형 에지 사이의 날끝각 라디안 | 밀리미터 | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV(5x5mm) | μm | ≤1.5 | |
| 활 | μm | 0~-5 | |
| 날실 | μm | ≤10 | |
| 레이저 마크 | 요구된 고객으로서 | ||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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