중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

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  5*10mm2 SP 표면 (20-21)/(20-2-1)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.1 Ω·cm을 도프하지 않았습니다

  차원:5 Ｘ 10mm2

  두께:350 ±25um

  TTV:≤ 10 um

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  5*10mm2 A-표면은 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 저항률 <0.1 Ω·cm 전력 소자 / 레이저 Ｗ를 도프하지 않았습니다

  차원:5 Ｘ 10mm2

  두께:350 ±25 um

  배향:M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 각도에서 떨어져 있는 평평한 (11-20)'을 향한 각도에서 떨어져 있는 비행기 (11-20)

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  10 X 10.5mm2 독립형 GaN 기판 - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm

  상품 이름:GaN 에피택셜 웨이퍼

  차원:10 x 10.5mm²

  두께:350 ±25um

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  10*10.5mm2 C-표면 철 첨가 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치 웨이퍼

  차원:10 x 10.5mm²

  두께:350 ±25um

  TTV:≤ 10 um

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  10 Ｘ 10.5 mm2 C-표면은 n형 자유 고정 갈륨-질소 단결정체 기판을 도프하지 않았습니다

  상품 이름:갈륨-질소 단결정체 기판

  차원:10 x 10.5mm²

  두께:350 ±25um

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