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제품 상세 정보:
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| 제품 이름: | 4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼 | 종류: | 평평한 사파이어 |
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| 두께: | 650 ± 25μm | 배향: | M-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001) |
| 폴란드어: | 일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP) | 차원: | 100 ± 0.2 밀리미터 |
| 강조하다: | 625um 간 에피 웨이퍼,675um 간 에피 웨이퍼,4인치 캔 에피타시얼 웨이퍼 |
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기판 두께 650 ± 25 μm 4 인치 블루 LED GaN 사피어 SSP 평면 사피어 에피타시얼 웨이퍼
4인치 블루 LED 갈륨 나이트라이드 사피어 SSP에 GaN 대동맥 웨이퍼
예를 들어, 갈륨 나이트라이드 (GaN) 는 비선형 광학 주파수 두 배 사용 없이 보라색 (405 nm) 레이저 다이오드를 가능하게 하는 기판이다.이온화 방사선에 대한 민감도는 낮습니다 (다른 그룹 III의 나이트라이드와 마찬가지로)인공위성용 태양전지 배열에 적합한 재료가 될 수 있습니다. 방사선 환경에서의 안정성을 보여주었기 때문에 군사 및 우주 응용 분야에도 도움이 될 수 있습니다.
| 4인치 GaN-on-Sapphire 블루/그린 LED 웨이퍼 | ||||
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기판 |
종류 | 평면 사피르 |
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| 폴란드어 | 일면 닦은 (SSP) / 이면 닦은 (DSP) | |||
| 차원 | 100 ± 0.2mm | |||
| 방향성 | C 평면 (0001) 은 M축 0.2 ± 0.1°로 기울기를 벗어납니다. | |||
| 두께 | 650 ± 25μm | |||
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에피 레이어 |
구조 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN | ||
| 두께 | 5.5 ± 0.5μm | |||
| 거칠성 (Ra) | <0.5 nm | |||
| 위장 밀도 | < 5 × 108cm-2 | |||
| 파장 | 블루 LED | 녹색 LED | ||
| 465 ± 10 nm | 525 ± 10 nm | |||
| 파장 FWHM | < 25 nm | < 40 nm | ||
| 칩 성능 | 절단전압@1μA | 20.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
| 사용 가능한 면적 | > 90% (변변 및 매크로 결함 제외) | |||
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패키지 |
청정실에서 단일 웨이퍼 컨테이너에 포장 |
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우리 에 관한 것
우리는 다양한 재료를 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 처리하는 데 전문입니다. 전자, 광학, 광 전자 및 기타 많은 분야에서 널리 사용되는 부품.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학과 긴밀히 협력하고 있습니다., 연구 기관 및 회사는 R&D 프로젝트에 맞춤형 제품과 서비스를 제공합니다.그것은 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객과 협력의 좋은 관계를 유지 하는 우리의 비전입니다.
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