홈 제품 소개

GaN 에피택셜 웨이퍼

제일 제품

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

고전압 고주파 칩 생산에 필수적인 GaN 에피타క్సి얼 웨이퍼

종류::평평한 사파이어

폴란드어:일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP)

차원:50.8±0.2mm(2인치)/100±0.2mm(4인치)/150 +0.2mm(6인치)
625um ~ 675um 4 인치 블루 LED 갈륨 나이트라이드 GaN 사피어 에피타시얼 웨이퍼

제품 이름:4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼

종류:평평한 사파이어

두께:650 ± 25μm
GaN 2 인치 갈륨 나이트라이드 단일 크리스탈 기판

최소 주문 수량:1

포장 세부 사항:내부 포장 : 웨이퍼 전용 포장 상자, 외부 포장 : 판지 상자 포장, 충격 흡수 필름 내장

지불 조건:T/T
싱글 크리스탈 가인 에피 웨이퍼 갈륨 나트라이드 기판 4 인치

최소 주문 수량:1

포장 세부 사항:내부 포장 : 웨이퍼 전용 포장 상자, 외부 포장 : 판지 상자 포장, 충격 흡수 필름 내장

지불 조건:T/T
4 인치 Fe 도핑 된 독립 GaN 기판 갈륨 나이트라이드

최소 주문 수량:1

포장 세부 사항:내부 포장 : 웨이퍼 전용 포장 상자, 외부 포장 : 판지 상자 포장, 충격 흡수 필름 내장

지불 조건:T/T
2인치 녹색 LED GaN 온 실리콘 웨이퍼 치수 520±10nm

상품 이름:실리콘 웨이퍼 위의 녹색 LED GaN

사이즈:2 인치 4 인치

기판 구조체:20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substrates
5*10mm2 SP 표면 (20-21)/(20-2-1)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.05 Ω·cm을 도프하지 않았습니다

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
5*10mm2 SP 표면 (11-12)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.1 Ω·cm 전력 소자를 도프하지 않았습니다

차원:5 Ｘ 10mm2

배향:(11-22) M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 (11-22) 비행기 오프 앵글'을 향한 비행기 오프 앵글

TTV:≤ 10 um
5*10mm2 SP-Face (11-12) 도핑되지 않은 N형 프리스탠딩 GaN 단결정 기판 저항률

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

배향:(11-22) M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 (11-22) 비행기 오프 앵글'을 향한 비행기 오프 앵글
5*10mm2 M-표면 도프하지 않은 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치 웨이퍼

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

활:- 10 um ≤ 활 ≤ 10 um
5*10mm2 SP 표면 (10-11)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.05 Ω·cm을 도프하지 않았습니다

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
5*10mm2 SP 표면 (10-11)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 저항률 <0.1 Ω·cm 전력 소자를 도프하지 않았습니다

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

배향:(10- 11) A축에 대한 평면 이탈 각도 0 ±0.5° (10- 11) C축에 대한 평면 이탈 각도 - 1 ±0.2°

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

카테고리 찾아보기：

GaN 에피택셜 웨이퍼

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

고전압 고주파 칩 생산에 필수적인 GaN 에피타క్సి얼 웨이퍼

625um ~ 675um 4 인치 블루 LED 갈륨 나이트라이드 GaN 사피어 에피타시얼 웨이퍼

GaN 2 인치 갈륨 나이트라이드 단일 크리스탈 기판

싱글 크리스탈 가인 에피 웨이퍼 갈륨 나트라이드 기판 4 인치

4 인치 Fe 도핑 된 독립 GaN 기판 갈륨 나이트라이드

2인치 녹색 LED GaN 온 실리콘 웨이퍼 치수 520±10nm

5*10mm2 SP 표면 (20-21)/(20-2-1)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.05 Ω·cm을 도프하지 않았습니다

5*10mm2 SP 표면 (11-12)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.1 Ω·cm 전력 소자를 도프하지 않았습니다

5*10mm2 SP-Face (11-12) 도핑되지 않은 N형 프리스탠딩 GaN 단결정 기판 저항률

5*10mm2 M-표면 도프하지 않은 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치 웨이퍼

5*10mm2 SP 표면 (10-11)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.05 Ω·cm을 도프하지 않았습니다

5*10mm2 SP 표면 (10-11)는 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 저항률 <0.1 Ω·cm 전력 소자를 도프하지 않았습니다

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP