|
제품 상세 정보:
|
| 상품 이름: | 갈륨-질소 단결정체 기판 | 차원: | 10 x 10.5mm² |
|---|---|---|---|
| 두께: | 350 ±25um | 배향: | C 평면(0001) M축 방향 오프 각도 0.35 ±0.15° |
| TTV: | ≤ 10 um | 대형 결함밀도: | 0cm⁻² |
| 강조하다: | 표면 처리 GaN 기판,에피타시 가안 기판,가나스 (GaN) 기판으로 닦은 |
||
10*10.5mm² C-면 도핑되지 않은 n형 독립형 GaN 단결정 기판 비저항 < 0.1 Ω·cm 전원 장치/레이저
개요
GaAsP epi-wafer 사업에서 10년 이상의 경험을 바탕으로 독창적으로 설계된 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 방식으로 생산되는 고품질 GaN 기판을 제공합니다.
| 10 x 10.5mm2 독립형 GaN 기판 | ||||
| 안건 | GaN-FS-CU-S10 | GaN-FS-CN-S10 | GaN-FS-C-SI-S10 |
비고: |
| 치수 | 10 x 10.5mm2 | |||
| 두께 | 350 ±25µm | |||
| 정위 | C 평면(0001) M축 방향 오프 각도 0.35 ±0.15° | |||
| 전도 유형 | N형 | N형 | 반절연 | |
| 비저항(300K) | < 0.1Ω·cm | < 0.05Ω·cm | > 106Ω·cm | |
| TTV | ≤ 10µm | |||
| 절하다 | - 10µm ≤ BOW ≤ 10µm | |||
| Ga 표면 거칠기 | < 0.2nm(광택) 또는 < 0.3 nm(에피택시를 위한 연마 및 표면 처리) |
|||
| N면 표면 거칠기 | 0.5~1.5㎛ 옵션: 1~3 nm(미세 접지);< 0.2nm(광택) |
|||
| 전위 밀도 | 1x10부터53 x 106센티미터-2(CL로 계산)* | |||
| 매크로 결함 밀도 | 0cm-2 | |||
| 사용 가능한 영역 | > 90%(가장자리 제외) | |||
| 패키지 | 클래스 100 클린룸 환경, 6개의 PCS 컨테이너, 질소 분위기에서 포장 | |||
*중국 국가 표준(GB/T32282-2015)
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
자주하는 질문
Q: 당신은 무역 회사입니까 아니면 제조업체입니까?
우리는 공장입니다.
Q: 배달 시간은 얼마나 걸립니까?
상품의 재고가 있는 경우 일반적으로 3-5일입니다.
또는 상품의 재고가 없는 경우 7-10일입니다. 수량에 따라 다릅니다.
Q: 샘플을 제공합니까?무료인가요 추가인가요?
예, 샘플을 무료로 제공할 수 있지만 운임은 지불하지 않습니다.
Q: 지불 조건은 무엇입니까?
결제 <=5000USD, 100% 선불.
Paymen >=5000USD, 미리 80% T/T, shippment 전에 균형.
담당자: Xiwen Bai (Ciel)
전화 번호: +8613372109561
