사파이어 웨이퍼 SSP Resistivity<0.05 Ω 센티미터 LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 n형 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨

사파이어 웨이퍼 SSP resistivity<0.05 Ω 센티미터 LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 n형 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨

For lightly Si-doped GaN ([Si] = 2.1 × 10¹⁶cm⁻³), the room temperature (RT) electron mobility was as high as 1008 cm² V⁻¹ s⁻¹, which was dominantly limited by polar optical phonon scattering. Moreover, we found that heavily Si-doped GaN prepared using PSD exhibited an RT mobility as high as 110 cm² V⁻¹ s⁻¹ at an electron concentration of 2 × 10²⁰ cm⁻³, which indicated that the resistivity of this film was almost as small as those of typical transparent conductive oxides such as indium tin oxide.

하부 온도에, 전자 이동도는 136 Ｋ에 1920 cm2 V-1 s-1으로 증가했고 온도 의존성이 잘 전통적 산란 모델들에 의해 설명되었습니다. PSD를 사용하여 준비된 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨이 GaN-기반을 둔 전력 소자의 제작뿐만 아니라 질화물 기반을 둔 광학적 장치에 쓸 에피 투명 전극 소재로 사용하기 위해 유망한 것을 이러한 결과는 나타냅니다.

우리에 대하여

우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.

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