LED 레이저 PIN 장치에 대한 사피어 에피타క్సి얼 웨이퍼에 2 ′′ 6 인치 N 타입 GaN

설명:

에피아시얼 웨이퍼는 단일 결정 기판에 새로운 단일 결정 층을 재배함으로써 형성된 제품을 의미합니다.에피아시얼 웨이퍼는 장치의 성능의 약 70%를 결정하며 반도체 칩에 중요한 원료입니다.에피아시얼 웨이퍼 제조업체는 CVD (화학 증기 퇴적) 장비, MBE (분자 빔 에피타시) 장비, HVPE 장비 등을 사용합니다.크리스탈을 재배하고 기판 재료에 대각색 웨이퍼를 생산하기 위해후각 웨이퍼는 사진 리토그래피, 얇은 필름 퇴적 및 에칭과 같은 과정을 통해 웨이퍼로 제조됩니다. 웨이퍼는 더 나아가 맨 칩으로 잘라집니다.소재가 고정되는 것과 같은 포장 과정을 거치는보호 껍질 설치, 칩 회로 핀과 외부 기판 사이의 유선 연결, 회로 테스트, 성능 테스트그리고 다른 테스트 단계로 궁극적으로 칩을 생산위의 칩 생산 과정은 최종 칩이 칩 설계 요구 사항을 충족하는지 확인하기 위해 칩 설계 프로세스와 상호 작용을 유지해야합니다.
갈륨 나이트라이드의 성능에 따라 갈륨 나이트라이드 대동부 웨이퍼는 주로 고전력, 고 주파수, 중간 및 낮은 전압의 응용에 적합하며, 특히 다음과 같이 반영됩니다.1) 대역 간격 너비: 높은 대역 폭은 갈륨 아르세나이드 장치보다 더 높은 전력을 출력 할 수있는 갈륨 질산 장치의 전압 저항 수준을 향상시킵니다.특히 5G 통신 기지 스테이션에 적합합니다.2) 높은 변환 효율성:갈륨 나이트라이드 스위치 전력 전자 장치의 전도 저항은 실리콘 장치보다 세 차원 낮은3) 높은 열 전도성: 갈륨 질산의 높은 열 전도성은 훌륭한 열 방출 성능을 부여합니다.고전력 장치의 생산에 적합하도록 만드는 것4) 분해 전기장 강도: 갈륨 나이트라이드의 분해 전기장 강도는 실리콘 나이트라이드와 비슷하지만,반도체 기술 및 재료 격자 불일치와 같은 요소로 인해 갈륨 나트라이드 장치의 전압 내성이 일반적으로 1000V 정도입니다.안전 작동 전압은 일반적으로 650V 이하입니다.

사양: