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제품 상세 정보:
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| 차원: | 2인치 /4인치 | AlGaN 버퍼 두께: | 600NM |
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| 장황한 부분 d'onde 레이저: | 455±10nm | 기판 구조체: | 20nmP++GaN/60nmP-GaN/30nmP-AlGaN/5nmGaN-QB/3nmInGaN-QW/2800nmN-GaN/800nmUndope Ｄ GaN/600nmAlGaN buff |
| 상품 이름: | GaN 에피택셜 웨이퍼 | 특징: | 2-4inch Blue-LED GaN 온실리콘 |
| 강조하다: | 실리콘 웨이퍼에 600nm GaN,실리콘 웨이퍼에 2인치의 가안이 있습니다. |
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실리콘 웨이퍼 위의 2인치 청색 LED GaN
GaN과 함께 사용되는 세 가지 주요 기판은 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘(Si) 및 다이아몬드입니다.GaN on SiC는 세 가지 중에서 가장 일반적이며 군사 및 고전력 무선 인프라 애플리케이션의 다양한 애플리케이션에 사용되었습니다.GaN on Si는 성능이 SiC만큼 좋지는 않지만 더 경제적인 최신 기판입니다.GaN on Diamond는 성능이 가장 좋지만 새롭고 상대적으로 비용이 많이 들기 때문에 이를 사용한 응용 분야는 제한적입니다.
| 2-4inch Blue-LED GaN 온실리콘 | ||||||||||
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안건 Si(111) 기판(1500μm) |
아인 | AlGaN 버퍼 | 도핑되지 않은 GaN | N-GaN | MQW(7쌍) | P-AlGaN | P-GaN |
P++GaN
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| InGaN-QW | GaN-QB | |||||||||
| 치수 | 2인치 /4인치 | |||||||||
| 두께 | 330nm | 600nm | 800nm | 2800nm | 3nm | 5nm | 30nm | 60nm | 20nm | |
| 구성 | 알% | / | 아래로 등급 | / | / | / | / | 15% | / | / |
| 안에% | / | / | / | / | 15% | / | / | / | / | |
| 도핑 | [시] | / | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [마그네슘] | / | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| 롱귀르 돈드 레이저 | 455±10nm | |||||||||
| 기질 구조 | 20nmP++GaN/60nmP-GaN/30nmP-AlGaN/5nmGaN-QB/3nmInGaN-QW/2800nmN-GaN/800nm도핑되지 않은 GaN/600nmAlGaN 버퍼/330nmAIN/Si(111) 기판(1500μm) | |||||||||
| 패키지 | 클래스 100 클린룸 환경, 25PCS 용기, 질소 분위기에서 포장 | |||||||||
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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