홈 제품 소개

GaN 에피택셜 웨이퍼

제일 제품

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

사파이어 SSP에 편평한 사파이어 4 인치 파란 LED GaN 에피 택셜 웨이퍼

상품 이름:4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼

두께:650 ± 25μm

배향:M-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001)
자립형 N GaN 기판 N 표면 거칠기 0.5um to1.5um

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판

차원:50.0 ±0.3mm

항목:GaN-FS-C-N-C50-SSP
사파이어 빛 SSP 두께 5 um - 6 um 위의 100 밀리미터 4 인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼

타입:평평한 사파이어

상품 이름:4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼

니스:일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP)
12.5 밀리미터 2 인치 홀로 서 있는 엔 GaN epi 웨이퍼 Si는 도핑했습니다

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판

차원:50.0 ±0.3mm

두께:400 ± 30μm
4인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼 C 평면 편평한 사파이어

타입:평평한 사파이어

상품 이름:4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼

니스:일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP)
A면 N형 프리스탠딩 GaN 갈륨 단결정 기판 비도핑

상품 이름:갈륨-질소 단결정체 기판

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um
4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항>0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼

차원:100 ± 0.2 밀리미터

두께 / 두께 STD:4.5 ± 0.5μm / < 3%

배향:C 평면(0001) A축 방향 오프 각도 0.2 ± 0.1 °
4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼

차원:100 ± 0.2 밀리미터

상품 이름:4 인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판

도전 타입:p형
4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼

상품 이름:4 인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판

차원:100 ± 0.2 밀리미터

도전 타입:p형
2인치 C-Face Fe 도핑 SI 유형 독립형 GaN 단결정 기판 저항률 > 10⁶ Ω·cm RF 장치

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ± 25μm

배향 평판:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1 밀리미터
실리콘 웨이퍼 장황한 부분 D'Onde 레이저 455±10nm 위의 2 인치 블루-LED GaN

상품 이름:실리콘 웨이퍼 위의 블루-LED GaN

차원:2 인치

AlGaN 버퍼 두께:400-600nm
실리콘 웨이퍼 20nmContact 층 위의 차원 520±10nm 2 인치 녹색 LED GaN

상품 이름:실리콘 위의 2-4inch 녹색 LED GaN

사이즈:2는 조금씩 움직입니다, 4가 조금씩 움직입니다

차원:520±10nm

Page 3 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

카테고리 찾아보기：

GaN 에피택셜 웨이퍼

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

사파이어 SSP에 편평한 사파이어 4 인치 파란 LED GaN 에피 택셜 웨이퍼

자립형 N GaN 기판 N 표면 거칠기 0.5um to1.5um

사파이어 빛 SSP 두께 5 um - 6 um 위의 100 밀리미터 4 인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼

12.5 밀리미터 2 인치 홀로 서 있는 엔 GaN epi 웨이퍼 Si는 도핑했습니다

4인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼 C 평면 편평한 사파이어

A면 N형 프리스탠딩 GaN 갈륨 단결정 기판 비도핑

4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항>0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼

4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼

4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼

2인치 C-Face Fe 도핑 SI 유형 독립형 GaN 단결정 기판 저항률 > 10⁶ Ω·cm RF 장치

실리콘 웨이퍼 장황한 부분 D'Onde 레이저 455±10nm 위의 2 인치 블루-LED GaN

실리콘 웨이퍼 20nmContact 층 위의 차원 520±10nm 2 인치 녹색 LED GaN

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP