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GaN 에피택셜 웨이퍼

제일 제품

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

사파이어 SSP에 편평한 사파이어 4 인치 파란 LED GaN 에피 택셜 웨이퍼

상품 이름:4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼

두께:650 ± 25μm

배향:M-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001)
자립형 N GaN 기판 N 표면 거칠기 0.5um to1.5um

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판

차원:50.0 ±0.3mm

항목:GaN-FS-C-N-C50-SSP
사파이어 빛 SSP 두께 5 um - 6 um 위의 100 밀리미터 4 인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼

타입:평평한 사파이어

상품 이름:4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼

니스:일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP)
12.5 밀리미터 2 인치 홀로 서 있는 엔 GaN epi 웨이퍼 Si는 도핑했습니다

상품 이름:2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판

차원:50.0 ±0.3mm

두께:400 ± 30μm
4인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼 C 평면 편평한 사파이어

타입:평평한 사파이어

상품 이름:4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼

니스:일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP)
A면 N형 프리스탠딩 GaN 갈륨 단결정 기판 비도핑

상품 이름:갈륨-질소 단결정체 기판

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um
5*10mm2 SP-Face 비 도핑 N형 자유 서 있는 GaN 단일 크리스탈 기판 20-21 / 20-2-1 10mm2 저항성 0.05 Ω·cm

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
350 ± 25μm 두께 도핑되지 않은 N형 독립적인 GaN 단일 크리스탈 기판 TTV ≤ 10μm 및 저항성 0.1 Ω·cm

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
SP-Face 11-12 도핑되지 않은 N형 독립 GaN 단일 결정 기판 저항성 0.05 Ω·cm 매크로 결함 밀도 0cm−2

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

배향:(11-22) M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 (11-22) 비행기 오프 앵글'을 향한 비행기 오프 앵글
전력장치 5x10mm2 도핑되지 않은 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판, 저항성 0.1 Ω·cm 및 10μm 내의 BOW

차원:5 Ｘ 10mm2

배향:(11-22) M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 (11-22) 비행기 오프 앵글'을 향한 비행기 오프 앵글

TTV:≤ 10 um
5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm 저항성 0.05 Ω·cm

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
5*10mm2 SP-Face 10-11 비 도핑 된 N형 독립 GaN 단일 크리스탈 기판 0.1 Ω·cm 전력 장치에 대한 저항성

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

배향:(10- 11) A축에 대한 평면 이탈 각도 0 ±0.5° (10- 11) C축에 대한 평면 이탈 각도 - 1 ±0.2°

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GaN 에피택셜 웨이퍼

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

사파이어 SSP에 편평한 사파이어 4 인치 파란 LED GaN 에피 택셜 웨이퍼

자립형 N GaN 기판 N 표면 거칠기 0.5um to1.5um

사파이어 빛 SSP 두께 5 um - 6 um 위의 100 밀리미터 4 인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼

12.5 밀리미터 2 인치 홀로 서 있는 엔 GaN epi 웨이퍼 Si는 도핑했습니다

4인치 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼 C 평면 편평한 사파이어

A면 N형 프리스탠딩 GaN 갈륨 단결정 기판 비도핑

5*10mm2 SP-Face 비 도핑 N형 자유 서 있는 GaN 단일 크리스탈 기판 20-21 / 20-2-1 10mm2 저항성 0.05 Ω·cm

350 ± 25μm 두께 도핑되지 않은 N형 독립적인 GaN 단일 크리스탈 기판 TTV ≤ 10μm 및 저항성 0.1 Ω·cm

SP-Face 11-12 도핑되지 않은 N형 독립 GaN 단일 결정 기판 저항성 0.05 Ω·cm 매크로 결함 밀도 0cm−2

전력장치 5x10mm2 도핑되지 않은 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판, 저항성 0.1 Ω·cm 및 10μm 내의 BOW

5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm 저항성 0.05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 비 도핑 된 N형 독립 GaN 단일 크리스탈 기판 0.1 Ω·cm 전력 장치에 대한 저항성

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP