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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판 | 차원: | 50.0 ±0.3mm |
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| 두께: | 400 ± 30μm | 배향 평판: | (1- 100) ±0.1˚, 12.5 ± 1 밀리미터 |
| TTV: | ≤ 15 um | 활: | ≤ 20μm |
| 강조하다: | 12.5 밀리미터 질화 갈륨 epi 웨이퍼,2 인치 갈륨 질화물 웨이퍼,2Inch GaN 에피 웨이퍼 |
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(1- 100) ±0.1o, 12.5 ± 1 밀리미터 2-인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판 GaN-FS-C-N-C50-SSP
2 인치 C-표면 규소 도핑된 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정 기판 저항률 < 0="">
1-μm-thick 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨 영화의 성장은 N2/Ar 환경에 펄스 마그네트론 비산 소스들과 함께 PSD에 의해 수행되었습니다. GaN에서 Si 도핑농도는 고체 상태 단결정체 실리콘 소스로부터 Si 증기 흐름을 변경함으로써 2 × 1016에서부터 2 × 1020 cm-3까지 제어되었습니다.
연구에서, 우리는 어떻게 PSD에 의해 준비된 GaN의 전기적 성질이 온도-의존형 홀 효과 측정을 사용하여 Si 도핑농도에 의존하는지 조사했습니다.
| 2 인치 프리-스탠딩 n-형 갈륨-질소 기판 | ||||||
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생산 수준(P) |
조사(R) |
가상(D) |
기록 : (1) 5 점 : 5곳 위치들의 미스컷 앵글은 0.55 ±0.15o입니다 (2) 3 점 : 위치들의 미스컷 앵글은 (2, 4, 5)는 0.55 ±0.15o입니다 (3) 사용가능 영역 : 주변과 대형 결점 (홀)의 배제 |
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| P+ | Ｐ | Ｐ- | ||||
| 항목 | GaN-FS-C-N-C50-SSP | |||||
| 차원 | 50.0 ±0.3 밀리미터 | |||||
| 두께 | 400 ± 30 μm | |||||
| 배향 평판 | (1- 100) ±0.1o, 12.5 ± 1 밀리미터 | |||||
| TTV | ≤ 15 μm | |||||
| 활 | ≤ 20 μm | |||||
| 저항률 (300K) | n형을 위한 ≤ 0.02 Ω·cm (규소 도핑된) | |||||
| Ga 표면부 거칠기 | ≤ 0.3 nm (에피택시를 위한 닦고 표면 처리) | |||||
| 엔 표면부 거칠기 | 0.5 ~1.5 μm (일 측면은 광택이 났습니다) | |||||
| M-주축 (미스컷 앵글)을 향한 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001) |
0.55 ± 0.1o (5 점) |
0.55± 0.15o (5 점) |
0.55 ± 0.15o (3 점) |
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| 나사형 디스로케이션 밀도 | ≤ 7.5 Ｘ 105 cm-2 | ≤ 3 Ｘ 106 cm-2 | ||||
| 센터에서 Ф47 밀리미터에 블랙홀의 숫자와 맥스 사이즈 | 0 | ≤ 3@1000 μm | ≤ 12@1500 μm | ≤ 20@3000 μm | ||
| 사용가능 영역 | > 90% | >80% | >70% | |||
| 패키지 | 매엽 컨테이너에서 고청정실에서 패키징됩니다 | |||||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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