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제품 상세 정보:
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| 타입: | 평평한 사파이어 | 상품 이름: | 4 인치 간-온-사피파이어 파란색 / 녹색 LED 웨이퍼 |
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| 니스: | 일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP) | 차원: | 100 ± 0.2 밀리미터 |
| 배향: | M-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001) | 두께: | 650 ± 25μm |
| 강조하다: | 청색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼,4인치 led 웨이퍼,GaN 에피택셜 웨이퍼 C 평면 |
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사파이어 SSP C 평면(0001)의 4인치 파란색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼 M축 방향으로 오프 각도 0.2 ± 0.1°
사파이어 SSP의 4인치 파란색 LED GaN 에피택셜 웨이퍼
LED 기술에서 청색 복사를 사용하면 두 가지 특정한 이점이 있습니다. 하나는 전력 소비가 적고 두 번째는 광 출력 측면에서 더 효율적입니다.예를 들어 2014년부터 2018년까지 형광체의 발전으로 청색 LED의 효율이 130~140lm/W에서 200~210lm/W로 높아졌다.
청색 LED 생산의 또 다른 주요 문제는 GaN을 정밀하게 p-도핑하는 데 어려움이 있다는 것입니다.1980년대 후반에 Amano와 Akasaki는 GaN이 아연 원자로 도핑되었을 때 더 많은 빛을 방출하여 더 나은 p-도핑을 제공한다는 사실을 발견했습니다.이 현상은 나중에 Nakamura의 기사에서 설명되었습니다.
| 4inch GaN-on-Sapphire Blue/Green LED 웨이퍼 | ||||
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기질 |
유형 | 플랫 사파이어 |
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| 광택 | 단면연마(SSP) / 양면연마(DSP) | |||
| 치수 | 100 ± 0.2mm | |||
| 정위 | C 평면(0001) M축 방향 오프 각도 0.2 ± 0.1° | |||
| 두께 | 650 ± 25μm | |||
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에피레이어 |
구조 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQW/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN | ||
| 두께 | 5.5 ± 0.5μm | |||
| 조도(Ra) | <0.5nm | |||
| 전위 밀도 | < 5 × 108센티미터-2 | |||
| 파장 | 파란색 LED | 녹색 LED | ||
| 465±10nm | 525±10nm | |||
| 파장 FWHM | < 25nm | < 40nm | ||
| 칩 성능 | 컷인 전압@1μA | 2.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
| 사용 가능한 영역 | > 90%(가장자리 및 매크로 결함 제외) | |||
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패키지 |
단일 웨이퍼 컨테이너의 클린룸에서 포장 |
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회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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