중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

매크로 결함 밀도 0cm−2 비 도핑된 SI형 자립 GaN 단일 크리스탈 기판 RF 장치 5*10mm2 M면

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25um

활:- 10 um ≤ 활 ≤ 10 um
TTV ≤ 10μm A-Face 무도핑 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 저항성 0.1 Ω·cm 전력 장치/레이저 W

차원:5 Ｘ 10mm2

두께:350 ±25 um

배향:M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 각도에서 떨어져 있는 평평한 (11-20)'을 향한 각도에서 떨어져 있는 비행기 (11-20)
10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 매크로 결함 밀도 0cm−2 TTV ≤ 10μm 저항성 106 Ω·Cm RF 장치 웨이퍼

차원:10 x 10.5mm²

두께:350 ±25um

TTV:≤ 10 um
2 인치 녹색 LED 가온 실리콘 웨이퍼 차원 520±10nm

상품 이름:실리콘 웨이퍼 위의 녹색 LED GaN

사이즈:2 인치 4 인치

기판 구조체:20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substrates
10 X 10.5 mm2 C 얼굴 비 도핑 N 유형 자유 서 있는 GaN 단일 크리스탈 기판

상품 이름:갈륨-질소 단결정체 기판

차원:10 x 10.5mm²

두께:350 ±25um
10 X 10.5 mm2 자유자재 GaN 기판 - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

상품 이름:GaN 에피택셜 웨이퍼

차원:10 x 10.5mm²

두께:350 ±25um
4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항>0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼

차원:100 ± 0.2 밀리미터

두께 / 두께 STD:4.5 ± 0.5μm / < 3%

배향:C 평면(0001) A축 방향 오프 각도 0.2 ± 0.1 °
4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼

차원:100 ± 0.2 밀리미터

상품 이름:4 인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판

도전 타입:p형
4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼

상품 이름:4 인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판

차원:100 ± 0.2 밀리미터

도전 타입:p형
2인치 C-Face Fe 도핑 SI 유형 독립형 GaN 단결정 기판 저항률 > 10⁶ Ω·cm RF 장치

차원:50.8 ± 1 밀리미터

두께:350 ± 25μm

배향 평판:(1-100) ± 0.5˚, 16 ± 1 밀리미터
실리콘 웨이퍼 장황한 부분 D'Onde 레이저 455±10nm 위의 2 인치 블루-LED GaN

상품 이름:실리콘 웨이퍼 위의 블루-LED GaN

차원:2 인치

AlGaN 버퍼 두께:400-600nm
실리콘 웨이퍼 20nmContact 층 위의 차원 520±10nm 2 인치 녹색 LED GaN

상품 이름:실리콘 위의 2-4inch 녹색 LED GaN

사이즈:2는 조금씩 움직입니다, 4가 조금씩 움직입니다

차원:520±10nm

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GaN 에피택셜 웨이퍼

갈륨-질소 단결정체 기판

도핑되지 않은 GaN 에피택셜 웨이퍼

Ｃ 표면 GaN 기판

중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

매크로 결함 밀도 0cm−2 비 도핑된 SI형 자립 GaN 단일 크리스탈 기판 RF 장치 5*10mm2 M면

TTV ≤ 10μm A-Face 무도핑 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 저항성 0.1 Ω·cm 전력 장치/레이저 W

10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 매크로 결함 밀도 0cm−2 TTV ≤ 10μm 저항성 106 Ω·Cm RF 장치 웨이퍼

2 인치 녹색 LED 가온 실리콘 웨이퍼 차원 520±10nm

10 X 10.5 mm2 C 얼굴 비 도핑 N 유형 자유 서 있는 GaN 단일 크리스탈 기판

10 X 10.5 mm2 자유자재 GaN 기판 - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

4인치 N형 UID 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항>0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼

4인치 P형 Mg 도핑된 GaN 사파이어 웨이퍼 SSP 비저항~10Ω Cm LED 레이저 PIN 에피택셜 웨이퍼

4-인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 SSP Resistivity~10Ω cm LED 레이저 핀 에피택셜 웨이퍼

2인치 C-Face Fe 도핑 SI 유형 독립형 GaN 단결정 기판 저항률 > 10⁶ Ω·cm RF 장치

실리콘 웨이퍼 장황한 부분 D'Onde 레이저 455±10nm 위의 2 인치 블루-LED GaN

실리콘 웨이퍼 20nmContact 층 위의 차원 520±10nm 2 인치 녹색 LED GaN

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP