중국 GaN 에피택셜 웨이퍼

• 

  5*10mm2 M-표면은 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.05 Ω·cm 전력 소자 / 레이저를 도프하지 않았습니다

  차원:5 Ｘ 10mm2

  두께:350 ±25um

  TTV:≤ 10 um

  지금 연락
• 

  5*10mm2 SP 표면 (10-11) 도프하지 않은 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치

  차원:5 Ｘ 10mm2

  두께:350 ±25um

  배향:(10- 11) A축에 대한 평면 이탈 각도 0 ±0.5° (10- 11) C축에 대한 평면 이탈 각도 - 1 ±0.2°

  지금 연락
• 

  5*10mm2 A-표면은 n형 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity < 0.05 Ω·cm 전력 소자 / 레이저를 도프하지 않았습니다

  차원:5 Ｘ 10mm2

  두께:350 ±25um

  배향:M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 각도에서 떨어져 있는 평평한 (11-20)'을 향한 각도에서 떨어져 있는 비행기 (11-20)

  지금 연락
• 

  5*10mm2 SP 표면 (11-12) 도프하지 않은 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106Ω·Cm RF 장치

  차원:5 Ｘ 10mm2

  두께:350 ±25um

  배향:(11-22) M-주축 0 ±0.5' C-주축 - 1 ±0.2를 향한 (11-22) 비행기 오프 앵글'을 향한 비행기 오프 앵글

  지금 연락
• 

  5*10mm2 A-표면 도프하지 않은 SI 형태 프리-스탠딩 갈륨-질소 단결정체 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치 웨이퍼

  차원:5 Ｘ 10mm2

  두께:350 ±25um

  TTV:≤ 10 um

  지금 연락
• 

  M-주축 0.35 ±0.15를 향하여' 각도에서 떨어져 있는 10*10.5mm2 갈륨-질소 단결정체 기판 Ｃ 비행기 (0001)

  차원:10 x 10.5mm²

  두께:350 ±25um

  배향:C 평면(0001) M축 방향 오프 각도 0.35 ±0.15°

  지금 연락
• 

  두께 350 ±25 µm 10 X 10.5 mm2 독립형 GaN 기판

  상품 이름:프리-스탠딩 GaN 기판

  차원:10 x 10.5mm²

  두께:350 ±25um

  지금 연락
• 

  10*10.5mm2 갈륨-질소 단결정체 기판 두께 350 ±25 um TTV ≤ 10 um

  상품 이름:GaN 에피택셜 웨이퍼

  차원:10*10.5mm²

  두께:350 ±25um

  지금 연락
• 

  사파이어 웨이퍼 SSP Resistivity<0.05 Ω 센티미터 LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 n형 실리콘 도핑 갈륨-질화갈륨

  상품 이름:4인치 Si 도핑된 GaN/사파이어 기판

  두께 / 두께 STD:4.5 ± 0.5μm /< 3%

  배향:C 평면(0001) A축 방향 오프 각도 0.2 ± 0.1 °

  지금 연락
• 

  GaN 기판 Ga 표면 표면 거칠기 < 0.2 nm(연마) 또는 < 0.3 nm(에피택시를 위한 연마 및 표면 처리)

  상품 이름:갈륨-질소 단결정체 기판

  차원:10 x 10.5mm²

  두께:350 ±25um

  지금 연락
• 

  AlGaN 버퍼 두께 600nm 2인치 청색 LED GaN 온 실리콘 웨이퍼

  차원:2인치 /4인치

  AlGaN 버퍼 두께:600NM

  장황한 부분 d'onde 레이저:455±10nm

  지금 연락
• 

  LED 레이저 PIN 장치에 대한 사피어 에피타క్సి얼 웨이퍼에 2 ′′ 6 인치 N 타입 GaN

  종류::평평한 사파이어

  폴란드어:일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP)

  차원:50.8±0.2mm(2인치)/100±0.2mm(4인치)/150 +0.2mm(6인치)

  지금 연락