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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 실리콘 위의 2-4inch 녹색 LED GaN | 사이즈: | 2는 조금씩 움직입니다, 4가 조금씩 움직입니다 |
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| 차원: | 520±10nm | 기판 구조체: | 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substrates |
| 패키지: | 질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다 | 인증: | UKAS/ISO9001:2015 |
| 강조하다: | 실리콘 웨이퍼에 20nm GaN,실리콘 웨이퍼에 520±10nm GaN |
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실리콘 웨이퍼 위의 2 인치 녹색 LED GaN
개관
갈륨 나이트라이드 (GaN)는 파워 전자 장치 세계 전체에 걸쳐 혁신적 이동을 만들고 있습니다. 수십년간, 실리콘-기반 MOSFET (금속 산화 반도체 FET)는 힘으로 에너지를 변환하는 것을 돕는 매일 현대 세계의 일체형 부품이었습니다.
생성 반대하는 네트워크 (GANs)는 실제 데이터로 통할 수 있는 데이터의 새로운, 종합적 예를 발생시키기 위해 다른 것 (그러므로 반대한 것)에 반대하여 하나를 움푹 들어가면서, 2 신경망을 사용하는 알고리즘 구조입니다. 그들은 화상 생성, 비디오 세대와 음성 발생에 넓게 사용됩니다.
| 실리콘 위의 2-4inch 녹색 LED GaN | |||||||||
| 항목 SI(111) 기판 | Al(Ga)N 버퍼 | 우간 | 엔간 | MQW (1-3 쌍) | AlGaN | 피간 | 접촉층 | ||
| 인간-QW | 간-QB | ||||||||
| 차원 | 2 inch,4 인치 | ||||||||
| 520±10nm | |||||||||
| 두께 | 800nm | 1000nm | 3000nm | ~3nm | ~10nm | 35nm | 145nm | 20nm | |
| 구성 | Al% | / | / | / | / | / | ~15 | / | / |
| In% | / | / | / | ~25 | / | / | / | / | |
| 도핑 | [Si] | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| 기판 구조체 | 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substrates | ||||||||
| 패키지 | 질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다 | ||||||||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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