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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 실리콘 웨이퍼 위의 녹색 LED GaN | 사이즈: | 2 인치 4 인치 |
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| 기판 구조체: | 20nmContact layer/145nmpGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111)substrates | 차원: | 520±10nm |
| 패키지: | 질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다 | 브랜드: | 가노바 |
| 강조하다: | 실리콘 웨이퍼에 2 인치 가안,실리콘 웨이퍼에 있는 녹색 LED GaN,실리콘 웨이퍼에 있는 520nm GaN |
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실리콘 웨이퍼 위의 2인치 Green-LED GaN
개요
질화 갈륨(GaN)은 전력 전자 분야에서 혁신적인 변화를 일으키고 있습니다.수십 년 동안 실리콘 기반 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)은 에너지를 전력으로 변환하는 데 도움이 되는 일상적인 현대 세계의 필수적인 부분이었습니다.
GAN(Generative adversarial networks)은 두 개의 신경망을 사용하는 알고리즘 아키텍처로, 실제 데이터를 전달할 수 있는 새로운 합성 데이터 인스턴스를 생성하기 위해 하나를 다른 신경망(따라서 "adversarial")과 맞붙입니다.이미지 생성, 비디오 생성 및 음성 생성에 널리 사용됩니다.
| 2-4inch Green-LED GaN 온 실리콘 | |||||||||
| 항목 Si(111) 기판 | Al(Ga)N 버퍼 | uGaN | nGaN | MQW(1-3쌍) | AlGaN | pGaN | 접촉층 | ||
| InGaN-QW | GaN-QB | ||||||||
| 치수 | 2인치, 4인치 | ||||||||
| 520±10nm | |||||||||
| 두께 | 800nm | 1000nm | 3000nm | ~3nm | ~10nm | 35nm | 145nm | 20nm | |
| 구성 | 알% | / | / | / | / | / | ~15 | / | / |
| 안에% | / | / | / | ~25 | / | / | / | / | |
| 도핑 | [시] | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [마그네슘] | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| 기질 구조 | 20nm접촉층/145nmGaN/35nmAlGaN/~10nmGaN-QB/~3Si(111) 기판 | ||||||||
| 패키지 | 클래스 100 클린룸 환경, 25PCS 용기, 질소 분위기에서 포장 | ||||||||
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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