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제품 상세 정보:
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| 차원: | 100 ± 0.2 밀리미터 | 두께 / 두께 STD: | 4.5 ± 0.5μm / < 3% |
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| 배향: | C 평면(0001) A축 방향 오프 각도 0.2 ± 0.1 ° | GaN의 배향 평판: | (1-100) 0 ± 0.2', 30 ± 1 밀리미터 |
| 도전 타입: | n형 | ||
| 강조하다: | 사파이어 웨이퍼에 PIN 가N,사파이어 웨이퍼에 4인치 가인 |
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사파이어 웨이퍼의 4인치 N형 UID 도핑 GaN SSP 저항 >0.5 Ω cm LED, 레이저, PIN 에피택셜 웨이퍼
예를 들어, GaN은 비선형 광학 주파수 배가를 사용하지 않고도 보라색(405nm) 레이저 다이오드를 가능하게 하는 기판입니다.이온화 방사선에 대한 감도가 낮아(다른 III족 질화물과 마찬가지로) 위성용 태양 전지 어레이에 적합한 소재입니다.군사 및 우주 응용 프로그램은 장치가 방사선 환경에서 안정성을 보여줌으로써 이점을 얻을 수 있습니다.
| 4인치 도핑되지 않은 GaN/사파이어 기판 | ||
| 안건 | GaN-TCU-C100 |
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| 치수 | 100 ± 0.2mm | |
| 두께/두께 STD | 4.5 ± 0.5μm / < 3% | |
| 정위 | C 평면(0001) A축 방향 오프 각도 0.2 ± 0.1 ° | |
| GaN의 오리엔테이션 플랫 | (1-100) 0±0.2°, 30±1mm | |
| 전도 유형 | N형 | |
| 비저항(300K) | > 0.5Ω·cm | |
| 캐리어 농도 | < 2 x 1017센티미터-삼 | |
| 유동성 | > 300cm2/V·s | |
| *XRD FWHM | (0002) < 300 arcsec,(10-12) < 400 arcsec | |
| 구조 | ~ 4.5μm uGaN /~ 25nm uGaN 버퍼/650 ± 25μm 사파이어 | |
| 사파이어 방향 | C 평면(0001) M축 방향 오프 각도 0.2 ± 0.1 ° | |
| 사파이어 오리엔테이션 플랫 | (11-20) 0±0.2°, 30±1mm | |
| 사파이어 광택제 | 단면연마(SSP) / 양면연마(DSP) | |
| 사용 가능한 영역 | > 90%(가장자리 및 매크로 결함 제외) | |
| 패키지 |
클린룸에서 컨테이너로 포장: 단일 웨이퍼 상자(< 3 PCS) 또는 카세트(≥ 3 PCS) |
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회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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