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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 실리콘 웨이퍼 위의 블루-LED GaN | 차원: | 2 인치 |
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| AlGaN 버퍼 두께: | 400-600nm | 장황한 부분 d'onde 레이저: | 455±5nm |
| 기판 구조체: | 구조 10nmConnect layer/pGaN/400-600nmAlGaN/70-150nmInGaN/~15nmGaN-QB/~2.5nmInGaN-QW/70-150nmInG aN/120 | 특징: | 블루-LED |
| 강조하다: | 실리콘 웨이퍼에 455±10nm GaN |
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실리콘 웨이퍼 위의 2 인치 블루-LED GaN
갈륨 나이트라이드는 고전력, 고주파 반도체 적용을 위해 사용된 반도체 기술입니다. 갈륨 나이트라이드는 다양한 고전력 요소를 위해 비소화 갈륨과 실리콘 보다 그것을 더 잘 하는 여러 특징을 보여줍니다. 이러한 특성은 더 높은 항복 전압과 더 좋은 전기 고유 저항을 포함합니다.
| 실리콘 위의 2 인치 GaN 청색 레이저 | ||||||||||||
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항목 SI(111) 기판 |
Al(Ga)N 버퍼 | 우간 | 엔간 | AlGaN | InGaN |
MQW (1-3 쌍) |
InGaN | AlGaN | 피간 | 접촉층 | ||
| 인간-QW | 간-QB | |||||||||||
| 차원 | 2 인치 | |||||||||||
| 두께 | 1000nm | 1300-1500nm | 1300-1500nm | 1200-1500nm | 70-150nm | ~2.5nm | ~15nm | 70-150nm | 400-600nm | / | 10nm | |
| 구성 | Al% | / | / | / | 5-8 | / | / | / | / | 5-8 | / | / |
| In% | / | / | / | 2-8 | ~15 | / | 2-8 | / | / | / | ||
| 도핑 | [Si] | / | / | 5.0E+18 | 2.0E+18 | 2.0E+18 | / | / | / | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | / | / | / | 2.0E+19 | 2.0E+19 | / | |
| 장황한 부분 d'onde 레이저 | 455±5nm | |||||||||||
| 기판 구조체 | 10nmConnect layer/pGaN/400-600nmAlGaN/70-150nmInGaN/~15nmGaN-QB/~2.5nmInGaN-QW/70-150nmInG aN/1200-1500nmAlGaN/1300-1500nmnGaN/1300-1500nmnGaN/1300-1500nmuGaN/1000nmAl(G a)N buffer/Si(111)substrates | |||||||||||
| 패키지 | 질소 분위기 하에 25PCS 컨테이너의, 수업 100 클린 룸 환경에서 패키징됩니다 | |||||||||||
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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우리는 공장입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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입금 <>
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