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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 4 인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 | 차원: | 100 ± 0.2 밀리미터 |
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| 도전 타입: | p형 | 저항률 (300K): | < 10=""> |
| 캐리어 농도: | > 1 Ｘ 1017 cm≥ 5 Ｘ1019cm3) | 이동성: | > 5cm2/V·s |
| 강조하다: | LED 레이저 GaN 에피타시얼 웨이퍼 |
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사파이어 웨이퍼 SSP resistivity~10Ω cm LED, 레이저, 핀 에피택셜 웨이퍼 위의 4 인치 p-형 마그네슘 도핑 갈륨-질소
질화 갈륨 기판을 사용합니까?
사파이어 위의 갈륨 나이트라이드는 라디오 에너지 증폭에 쓸 이상적인 소재입니다. 더 높은 항복 전압과 고온에 있는 더 좋은 성능을 포함하여 그것은 실리콘 위에서 수많은 혜택을 제공합니다.
GaN은 이원 III/V 직접적인 밴드 갭 반도체가 일반적으로 1990년대 이후로 밝은 발광 다이오드에 사용했다는 것 입니다. 합성물은 섬유아연석 결정 구조를 가지는 고경질 재료입니다. 3.4 eV의 그것의 와이드 밴드 갭은 그것을 감당합니다 특성 애플리케이션용
광전자입니다
고전력 장치
고주파 디바이스
| 4 인치 마그네슘 도프된 GaN/Sapphire 기판 | ||
| 항목 | GaN-T-C-P-C100 |
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| 차원 | 100 ± 0.2 밀리미터 | |
| 두께 / 두께 STD | 4.5 ± 0.5 μm / < 3=""> | |
| 배향 | A-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001) | |
| GaN의 배향 평판 | (1-100) 0 ± 0.2 ', 30 ± 1 밀리미터 | |
| 도전 타입 | p형 | |
| 저항률 (300K) | < 10=""> | |
| 캐리어 농도 | > 1 Ｘ 1017 cm-3 (p+GaN ≥ 5 Ｘ 1019cm-3의 도핑농도) | |
| 이동성 | > 5 cm2/V·s | |
| *XRD 프휘엠에스 | (0002) < 300arcsec=""> | |
| 구조 |
~ 0.5 μm p+GaN/~ 1.5 μm p-GaN /~ 2.5 μm 우간 /~ 25 nm 우간 buffer/430 ± 25 μm 사파이어 |
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| 사파이어의 배향 | M-주축 0.2 ± 0.1을 향하여' 각도에서 떨어져 있는 Ｃ 비행기 (0001) | |
| 사파이어의 배향 평판 | (11-20) 0 ± 0.2 ', 30± 1 밀리미터 | |
| 사파이어 빛 니스 | 일 측면은 (SSP) 닦인 / 양측 사이드를 닦았습니다 (DSP) | |
| 사용가능 영역 | > 90% (모서리와 대형 결점 배제) | |
| 패키지 |
컨테이너에서 고청정실에서 패키징됩니다 : 매엽 박스 (< 3="" PCS=""> |
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우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
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또는 상품이 주식에 없으면 그것은 7-10 일입니다, 양에 따른 중입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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입금 <>
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담당자: Xiwen Bai (Ciel)
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