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제품 상세 정보:
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| 지름: | 2" | 등급: | 프라임 |
|---|---|---|---|
| 성장법: | CZ | 저항률: | 0.001-100 옴-센티미터 |
| 서피스는 끝났습니다: | P/E,P/P,E/E,G/G | TTV(μm): | 표준 <10μm, 최대 Capabilities<5μm |
| 활 / 날실: | 표준 <40μm, 최대 Capabilities<20μm | 입자: | <10> |
| 강조하다: | 2 " 실리콘 웨이퍼,CZ Si 웨이퍼,UKAS 실리콘 웨이퍼 |
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중요한 2 " 실리콘 웨이퍼 TTV(μm) 표준 <10>Ｍ, 최대 카파빌리타이즘<5>
2-인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 디바이스, 집적 회로, 개별 소자를 위한 헌신적 기판
개관
2개 다른 저항률과 Si에 의한 기계가공 성능 결과는 방출 에너지 매개 변수를 변경하는 동안 다이-신킹 마이크로 전기 방전 기계 가공 기술을 이용하여 논의됩니다. 게다가, 새로운 열보조 마이크로 전기 방전 기계 기술은 포함된 어떠한 도전층 없이 Si를 기계화해서 수행됩니다.
상술
| 실리콘 웨이퍼 | |
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지름
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2 /3 /4 /5 /6 /8 /12" |
| 등급 | 프라임 |
| 성장법 | CZ |
| 배향 | <1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0> |
| 타입 / 불순물 | Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다 |
| 두께(μm) | 279/380/525/625/675/725/775 |
| 두께 공차 | 표준 ± 25μm, 최대 카파빌리트 / 이스 ± 5μm |
| 저항률 | 0.001-100 옴-센티미터 |
| 서피스는 끝났습니다 | P/E,P/P,E/E,G/G |
| TTV(μm) | 표준 <10> |
| 활 / 날실 | 표준 <40> |
| 입자 | <10> |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
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예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
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입금 <>
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