중국 실리콘 웨이퍼

개별 장치 2 인치 실리콘 웨이퍼 두께 675um 725um 775um

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
775 um 725 um 675 um 8 인치 웨이퍼 반도체 디바이스

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
2" 반도체 실리콘 웨이퍼 두께 279μm

지름:2"

배향:<1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0>

타입 / 불순물:Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다
MEMS 장치 실리콘 기판 집적 회로 전용

지름:2"

등급:프라임

성장법:CZ
JDCD06-001-003 4-인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 디바이스, 집적 회로, 개별 소자를 위한 헌신적 기판

지름:4"

등급:프라임

성장법:CZ
JDCD06-001-002 3인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치, 집적 회로, 개별 장치 전용 기판

지름:3"

등급:프라임

성장법:CZ
MEMS 처리를 위한 JDCD07-001-003 6-인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

배향:<100>,<111>

타입 / 불순물:p 형 / 붕소, 앤형 / 포스, 엔이 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다

두께(μm):300-725
JDCD07-001-004 MEMS 처리용 7인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

지름:7"

배향:<100>,<111>

타입 / 불순물:p 형 / 붕소, 앤형 / 포스, 엔이 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다
MEMS 처리를 위한 JDCD07-001-002 5-인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

배향:<100>,<111>

타입 / 불순물:p 형 / 붕소, 앤형 / 포스, 엔이 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다

균일성:<5>
JDCD07-001-001 MEMS 처리용 4인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

지름:4"

배향:<100>,<111>

타입 / 불순물:p 형 / 붕소, 앤형 / 포스, 엔이 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다
JDCD06-001-007 12-인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 디바이스, 집적 회로, 개별 소자를 위한 헌신적 기판

지름:12"

등급:프라임

성장법:CZ
JDCD06-001-006 8인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치, 집적 회로, 개별 장치 전용 기판

지름:8"

등급:프라임

성장법:CZ

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

실리콘 웨이퍼

중국 실리콘 웨이퍼

개별 장치 2 인치 실리콘 웨이퍼 두께 675um 725um 775um

775 um 725 um 675 um 8 인치 웨이퍼 반도체 디바이스

2" 반도체 실리콘 웨이퍼 두께 279μm

MEMS 장치 실리콘 기판 집적 회로 전용

JDCD06-001-003 4-인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 디바이스, 집적 회로, 개별 소자를 위한 헌신적 기판

JDCD06-001-002 3인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치, 집적 회로, 개별 장치 전용 기판

MEMS 처리를 위한 JDCD07-001-003 6-인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

JDCD07-001-004 MEMS 처리용 7인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

MEMS 처리를 위한 JDCD07-001-002 5-인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

JDCD07-001-001 MEMS 처리용 4인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

JDCD06-001-007 12-인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 디바이스, 집적 회로, 개별 소자를 위한 헌신적 기판

JDCD06-001-006 8인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치, 집적 회로, 개별 장치 전용 기판

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP