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제품 소개실리콘 웨이퍼

775 um 725 um 675 um 8 인치 웨이퍼 반도체 디바이스

인증
중국 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 인증
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큰 이미지 :  775 um 725 um 675 um 8 인치 웨이퍼 반도체 디바이스

제품 상세 정보:
원래 장소: 스초우 중국
브랜드 이름: GaNova
인증: UKAS/ISO9001:2015
모델 번호: JDCD06-001-006
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
포장 세부 사항: 클래스 10000 클린룸 환경에서 25개 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너로 진공 포장합니다.
배달 시간: 3~4주
지불 조건: 전신환
공급 능력: 50000 PC / 달

775 um 725 um 675 um 8 인치 웨이퍼 반도체 디바이스

설명
지름: 2" 등급: 프라임
성장법: CZ 배향: <1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0>
두께(μm): 380/525/625/675/725/775 두께 공차: 표준 ± 25μm, 최대 성능 ± 5μm
저항률: 0.001-100 옴-센티미터 서피스는 끝났습니다: P/E,P/P,E/E,G/G
강조하다:

675 um 8 인치 웨이퍼

,

775 um 심하게 도핑된 Si 웨이퍼

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725 um 8 인치 웨이퍼

2-인치 실리콘 웨이퍼 두께 허용규준 ± 25μm, 최대 성능 ± 5μm

2-인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 디바이스, 집적 회로, 개별 소자를 위한 헌신적 기판


개관

거의 모든 우리의 주위에 있는 전자 기기는 반도체 디바이스를 사용합니다. 그것은 스마트폰, PC, 태블릿과 착용 컴퓨터와 같은 인포메이션 장치를 포함합니다 ; TVs와 에어컨들과 같은 가전 제품류 ; 그리고 차량부터 열차까지 교통의 수단.

지금 사물인터넷 (IoT) 시대가 스마트폰부터 차와 산업용 기계류까지 모든 것이 인터넷에 연결될 때인 우리에 있습니다.

상술

실리콘 웨이퍼

지름

2 /3 /4 /5 /6 /8 /12"
등급 프라임
성장법 CZ
배향 <1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0>
타입 / 불순물 P Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다
두께(μm) 279/380/525/625/675/725/775
두께 공차 표준 ± 25μm, 최대 카파빌리트 / 이스 ± 5μm
저항률 0.001-100 옴-센티미터
서피스는 끝났습니다 P/E,P/P,E/E,G/G
TTV(μm) 표준 <10>
활 / 날실 표준 <40>
입자 <10>

우리에 대하여

우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.

FAQ

큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
큐 : 오랫동안 당신의 배달 시간은 어떻습니까?
일반적으로 상품이 주식에 있다면 그것은 3-5 일입니다.
또는 상품이 주식에 없으면 그것은 7-10 일입니다, 양에 따른 중입니다.
큐 : 당신은 샘플을 제공합니까 ? 그것이 자유롭거나 여분입니까 ?
예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
큐 : 당신의 결제 조건이 무엇입니까 ?
입금 <> 페이맨 >=5000USD, 사전에 80% 전신환, 시립먼트 앞에 있는 잔액.

연락처 세부 사항
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

담당자: Xiwen Bai (Ciel)

전화 번호: +8613372109561

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