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실리콘 웨이퍼

중국 실리콘 웨이퍼

JDCD06-001-002 3인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치, 집적 회로, 개별 장치 전용 기판

지름:3"

등급:프라임

성장법:CZ
MEMS 처리를 위한 JDCD07-001-003 6-인치 SOI 에피택셜 웨이퍼

배향:<100>,<111>

타입 / 불순물:p 형 / 붕소, 앤형 / 포스, 엔이 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다

두께(μm):300-725

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약

GaN 에피택셜 웨이퍼: 2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형; Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다; 2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼: Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um; 4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um; 단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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