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제품 상세 정보:
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| 지름: | 8" | 등급: | 프라임 |
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| 성장법: | CZ | 배향: | <1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0> |
| 타입 / 불순물: | Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다 | 두께(μm): | 725 |
| 두께 공차: | 표준 ± 25μm, 최대 성능 ± 5μm | 저항률: | 0.001-100 옴-센티미터 |
| 서피스는 끝났습니다: | P/E,P/P,E/E,G/G | TTV(μm): | 표준 <10 um, 최대 Capabilities<5 um |
| 활 / 날실: | 표준 <40 um, 최대 Capabilities<20 um | 입자: | <10> |
8인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 소자, 집적회로, 디스크리트 소자 전용 기판
개요
전자 제품에서 실리콘 웨이퍼(기판이라고도 함)는 여러 전자 부품의 합성물인 집적 회로 생산에 사용되는 고순도 결정질 실리콘(c-Si)의 얇은 조각입니다.실리콘 웨이퍼는 전자 및 마이크로 기계 장치에 응용되기 때문에 반도체 산업에서 중요한 역할을 합니다.
실리콘 결정은 금속처럼 보일 수 있지만 완전히 금속은 아닙니다.원자 사이를 쉽게 이동하는 "자유 전자"로 인해 금속은 전기의 좋은 전도체이며 전기는 전자의 이동입니다.반면 순수한 실리콘 결정은 거의 절연체입니다.아주 적은 양의 전기가 통과하도록 합니다.그러나 이것은 도핑이라는 과정을 통해 변경할 수 있습니다.
사양
| 실리콘 웨이퍼 | |
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지름
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2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
| 등급 | 초기 |
| 성장 방법 | CZ |
| 정위 | <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0> |
| 유형/도펀트 | P형/붕소,N형/Phos,N형/As, N형/Sb |
| 두께(μm) | 279/380/525/625/675/725/775 |
| 두께 용인 | 표준 ± 25μm, 최대 Capabilit/ies ± 5μm |
| 비저항 | 0.001-100옴-cm |
| 표면 완성된 | P/E, P/P, E/E, G/G |
| TTV(μm) | 표준 <10um, 최대 기능<5um |
| 보우/워프 | 표준 <40um, 최대 기능<20um |
| 입자 | <10@0.5um;<10@0.3um;<10@0.2um; |
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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