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제품 상세 정보:
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| 지름: | 2" | 배향: | <1-0-0><1-1-1>,,<1-1-0> |
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| 타입 / 불순물: | Ｐ Type/Boron,N Type/Phos,N은 /를 타이핑합니다, 엔이 / 투루를 타이핑합니다 | 두께(μm): | 279 |
| 두께 공차: | 표준 ± 25μm, 최대 성능 ± 5μm | 저항률: | 0.001-100 옴-센티미터 |
| 서피스는 끝났습니다: | P/E,P/P,E/E,G/G | TTV(μm): | 표준 <10 μm, 최대 Capabilities<5 μm |
| 활 / 날실: | 표준 <40 μm, 최대 Capabilities<20 μm | 입자: | <10> |
| 강조하다: | 2 " 반도체 실리콘 wafer,N 유형 실리콘 epi wafer,n 도핑 실리콘 웨이퍼 279 um |
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2인치 실리콘 웨이퍼 두께(μm)279 비저항 0.001-100 Ohm-cm
2인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치, 집적 회로, 개별 장치 전용 기판
개요
일상에서 실제 실리콘 웨이퍼를 접할 기회가 있는 사람은 거의 없습니다.이 초평탄 디스크는 거울과 같은 표면으로 연마되고 표면의 미세한 요철을 최대한 제거하여 세계에서 가장 평평한 물체로 만듭니다.또한 매우 깨끗하며 미세 입자 및 기타 불순물이 거의 없습니다.이러한 특성은 오늘날 최첨단 반도체의 기판 재료로 사용되기 위해 필요합니다.
사양
| 실리콘 웨이퍼 | |
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지름
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2"/3"/4"/5"/6"/8"/12" |
| 등급 | 초기 |
| 성장 방법 | CZ |
| 정위 | <1-0-0>,<1-1-1>,<1-1-0> |
| 유형/도펀트 | P형/붕소,N형/Phos,N형/As, N형/Sb |
| 두께(μm) | 279/380/525/625/675/725/775 |
| 두께 용인 | 표준 ± 25μm, 최대 Capabilit/ies ± 5μm |
| 비저항 | 0.001-100옴-cm |
| 표면 완성된 | P/E, P/P, E/E, G/G |
| TTV(μm) | 표준 <10 μm, 최대 기능<5 μm |
| 보우/워프 | 표준 <40 μm, 최대 기능<20 μm |
| 입자 | <10@0.5μm;<10@0.3μm;<10@0.2μm; |
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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담당자: Xiwen Bai (Ciel)
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