중국 원문대로 에피택셜 웨이퍼

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  150.0mm +0mm/-0.2mm SiC 에피택셜 웨이퍼 47.5mm ± 1.5mm

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  표면 배향:비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여'

  1차 플래트 길이:47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터

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  까다로운 전력 전자 장치를 위한 2인치 SiC 기판 350μm

  결정은 형상을 이룬다:4h

  상품 이름:2 인치 디아미터실리콘 카바이드 (SiC)기판 상술

  지름:50.8mm±0.38mm

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  0.015Ωocm-0.025Ωocm SiC 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

  상품 이름:6 인치 직경 탄화규소 (SiC) 기판 상술

  1차 플래트 배향:{10-10}±5.0'

  결정은 형상을 이룬다:4h

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  2차 평면 SiC 기판 없음 150.0mm 47.5mm

  결정은 형상을 이룬다:4h

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

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  Polytype 없음 허용 SiC 에피택셜 웨이퍼 P-MOS P-SBD D 등급

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  1차 플래트 길이:47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

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  힘 장치와 마이크로파 장치를 위한 260μm 실리콘 탄화물 기질 P 수준

  결정은 형상을 이룬다:4h

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

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  150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC 에피택셜 웨이퍼 4H 결정형

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  표면 배향:비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여'

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  Ｐ MOS 등급 2 인치 SiC epi 웨이퍼 Ｐ 수준 Ｐ SBD 등급 Ｄ 등급 150.0 밀리미터

  결정은 형상을 이룬다:4h

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

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  4H SiC 에피택셜 웨이퍼 ≤0.2 /cm2 0.015Ωocm-0.025Ωocm 150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  결정은 형상을 이룬다:4h

  폴리타입:어떤 것도 허락하지 않았습니다

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  전력 소자를 위한 2 인치 반도체 웨이퍼 Ｐ 수준 260μm은 장치를 전자레인지로 가열합니다

  결정은 형상을 이룬다:4h

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

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  광자 장치 ISO9001를 위한 4H SiC 에피택셜 웨이퍼 SiC 웨이퍼 기질

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

  결정은 형상을 이룬다:4h

  지름:150.0 밀리미터 +0mm/-0.2mm

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  6인치 4H SiC N 유형 기판 47.5mm 보조 평면 없음

  결정은 형상을 이룬다:4h

  표면 금속 오염:(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca ,V, Mn) ≤1E11cm⁻²

  상품 이름:원문대로 에피택셜 웨이퍼

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