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제품 상세 정보:
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| 차원: | 2~4인치 | ||
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| 강조하다: | 실리콘 기반 갈륨 나이트라이드 에피타시얼 웨이퍼,HEMT 에피탈시얼 웨이퍼,4인치 시크리컬 에피탈시얼 웨이퍼 |
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실리콘 HEMT 에피 웨이퍼에서 GaN에 대한 소개
실리콘 기반의 갈륨산화물 (gallium nitride HEMT epitaxial wafer) 은 갈륨산화물 (GaN) 재료를 기반으로 한 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 에피타시얼 웨이퍼이다.그 구조는 주로 AlGaN 장벽 층을 포함합니다.이 구조는 갈륨 나트라이드 HEMT가 높은 전자 이동성과 포화 전자 속도를 가질 수있게합니다.고전력 및 고주파 애플리케이션에 적합하도록 만드는.
구조적 특성
알가안/가안 헤테로융합: 갈륨산화물 HEMT는 알가안/가안 헤테로융합을 기초로 하여, 헤테로융합을 통해 높은 전자 이동성 2차원 전자 가스 (2DEG) 채널을 형성한다.
소모형과 증강형: 갈륨 나이트라이드 HEMT 대동부 웨이퍼는 소모형 (D 모드) 과 증강형 (E 모드) 으로 나?? 다.소모 된 유형은 GaN 전력 장치의 자연 상태입니다., 향상된 유형은 특별한 프로세스를 필요로 하는 반면.
대피성 성장 과정: 대피성 성장에는 AlN 핵화층, 스트레스 완화 완충층, GaN 채널층, AlGaN 장벽층 및 GaN 캡층이 포함됩니다.
제조 과정
부피성 성장: 고품질의 부피성 웨이퍼를 형성하기 위해 실리콘 기판에 갈륨 질소 얇은 필름의 하나 이상의 층을 성장시키는 것.
패시베이션 및 캡 레이어: SiN 패시베이션 레이어 및 u-GaN 캡 레이어는 일반적으로 갈륨 나이트라이드 부피 웨이퍼에 사용되며 표면 품질을 개선하고 부피 웨이퍼를 보호합니다.
적용 영역
고 주파수 응용: 높은 전자의 이동성 및 갈륨 질소 물질의 포화 전자의 속도 때문에,갈륨산화 HEMT는 5G 통신과 같은 고주파 애플리케이션에 적합합니다., 레이더, 위성 통신
고전력 애플리케이션: 갈륨 나이트라이드 HEMT는 전기 자동차, 태양 전지 인버터 및 산업용 전원 공급 장치와 같은 분야에 적합한 고전압 및 고전력 애플리케이션에서 잘 수행합니다.
제품 사양
| 2~4인치 블루 LED 가인 실리콘 | ||||||||||
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항목 시 (Si) (111) 기체 (Si) 1500μm |
AIN | AlGaN 버퍼 | 도핑되지 않은 GaN | N-GaN | MQW (7쌍) | P-AlGaN | P-GaN |
P++GaN
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| InGaN-QW | GaN-QB | |||||||||
| 차원 | 2인치 / 4인치 | |||||||||
| 두께 | 330nm | 600nm | 800nm | 2800nm | 3nm | 5nm | 30nm | 60nm | 20nm | |
| 구성 | % | / | 저등급 | / | / | / | / | 15% | / | / |
| % | / | / | / | / | 15% | / | / | / | / | |
| 도핑 | [Si] | / | / | / | 8.0E+18 | / | 2.0E+17 | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | / | 1.0E+20 | 3.0E+19 | 2.0E+20 | |
| 레이저 길이 | 455±10nm | |||||||||
| 기판 구조 | 20nmP++GaN/60nmP-GaN/30nmP-AlGaN/5nmGaN-QB/3nmInGaN-QW/2800nmN-GaN/800nmUndoped GaN/600nmAlGaN 버퍼/330nmAIN/Si(111) 서브스트레이트 ((1500μm) | |||||||||
| 패키지 | 100급 청정실 환경, 25PCS 컨테이너, 질소 대기 상태에서 포장 | |||||||||
우리 에 관한 것
우리는 다양한 재료를 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 처리하는 데 전문입니다. 전자, 광학, 광 전자 및 기타 많은 분야에서 널리 사용되는 부품.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학과 긴밀히 협력하고 있습니다., 연구 기관 및 회사는 R&D 프로젝트에 맞춤형 제품과 서비스를 제공합니다.그것은 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객과 협력의 좋은 관계를 유지 하는 우리의 비전입니다.
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