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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | SiC 기판 | 결정은 형상을 이룬다: | 4h |
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| 지름: | 150.0mm+0mm/-0.2mm | 표면 배향: | 비축 :4' <11-20>±0.5를 향하여' |
| 1차 플래트 길이: | 47.5 밀리미터 ± 1.5 밀리미터 | 2차 플래트 길이: | 어떤 2차 플래트 |
| 강조하다: | 6인치 N형 웨이퍼,4H SiC 기판,N형 웨이퍼 P MOS 등급 |
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6inch 4H-SiC 기판 N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2저항률 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm(전원 및 마이크로웨이브 장치용)
개요
SiC는 다이오드, 전력 트랜지스터 및 고전력 마이크로파 장치와 같은 초고전압 및 고전력 장치 제조에 사용됩니다.
에피택셜 성장은 벌크 성장에서 도핑 및 두께 제어가 어렵기 때문에 설계된 도핑 밀도 및 두께로 실리콘 카바이드(SiC) 기반 소자 구조의 활성층을 생성하는 데 사용됩니다.
실리콘 카바이드(SiC)의 고유한 전자 및 열적 특성으로 인해 실리콘 또는 갈륨 비소 장치의 기능을 훨씬 능가하는 고급 고전력 및 고주파 반도체 장치에 이상적입니다.
| 재산 | P-MOS 등급 | P-SBD 등급 | D등급 |
| 크리스탈 형태 | 4시간 | ||
| 폴리타입 | 허용되지 않음 | 면적≤5% | |
| (MPD)ㅏ | ≤0.2 /센티미터2 | ≤0.5 /센티미터2 | ≤5 /센티미터2 |
| 육각 플레이트 | 허용되지 않음 | 면적≤5% | |
| 육각 다결정 | 허용되지 않음 | ||
| 포함ㅏ | 면적≤0.05% | 면적≤0.05% | 해당 없음 |
| 비저항 | 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm |
| (EPD)ㅏ | ≤4000/센티미터2 | ≤8000/센티미터2 | 해당 없음 |
| (테드)ㅏ | ≤3000/센티미터2 | ≤6000/센티미터2 | 해당 없음 |
| (BPD)ㅏ | ≤1000/센티미터2 | ≤2000/센티미터2 | 해당 없음 |
| (TSD)ㅏ | ≤600/센티미터2 | ≤1000/센티미터2 | 해당 없음 |
| 적재 결함 | ≤0.5% 지역 | ≤1% 면적 | 해당 없음 |
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표면 금속 오염 |
(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca,V, Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| 지름 | 150.0mm +0mm/-0.2mm | ||
| 표면 방향 | Off-Axis: <11-20>±0.5 ° 쪽으로 4° | ||
| 기본 플랫 길이 | 47.5mm ± 1.5mm | ||
| 보조 플랫 길이 | 보조 플랫 없음 | ||
| 기본 평면 방향 | <11-20>±1°에 평행 | ||
| 보조 평면 방향 | 해당 없음 | ||
| 직교 잘못된 방향 | ±5.0° | ||
| 표면 마감 | C-Face: 광학 광택제, Si-Face: CMP | ||
| 웨이퍼 에지 | 베벨링 | ||
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표면 거칠기 (10μm×10μm) |
Si 면 Ra≤0.20 nm ； C 면 Ra≤0.50 nm | ||
| 두께ㅏ | 350.0μm± 25.0μm | ||
| LTV(10mm×10mm)ㅏ | ≤2μm | ≤3μm | |
| (TTV)ㅏ | ≤6μm | ≤10μm | |
| (절하다)ㅏ | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| (경사)ㅏ | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| 칩/인덴트 | 없음 허용됨 ≥0.5mm 너비 및 깊이 | 수량 2 ≤1.0mm 너비 및 깊이 | |
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흠집ㅏ (사이페이스,CS8520) |
≤5 및 누적 길이≤0.5×웨이퍼 직경 |
≤5 및 누적 길이 ≤1.5×Wafer 지름 |
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| TUA(2mm*2mm) | ≥98% | ≥95% | 해당 없음 |
| 균열 | 허용되지 않음 | ||
| 오염 | 허용되지 않음 | ||
| 재산 | P-MOS 등급 | P-SBD 등급 | D등급 |
| 가장자리 제외 | 3mm | ||
비고: 로 표시된 항목에는 3mm 가장자리 제외가 사용됩니다.ㅏ.
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
자주하는 질문
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담당자: Xiwen Bai (Ciel)
전화 번호: +8613372109561
