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제품 상세 정보:
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| 행동 유형: | S-C-N | 도펀트: | GaAs-Si |
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| 오리엔테이션 각도: | 0° | 오리엔테이션: | EJ[0-1-1]±0.5° |
| OF 길이(mm): | 17±1 | IF 오리엔테이션: | EJ[0-11]±0.5° |
| 강조하다: | 언도핑 gaas epi 웨이퍼,GaAs 기판 1E18,비소화 갈륨 epi 웨이퍼 0.4E18 |
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2 인치 비소화 갈륨 (100)는 기판 가스-시 웨이퍼 0.4E18~1E18을 언도핑시켰습니다
개관
무선 망 (WLAN), 이동 통신, 4G/5G 기지국, 위성 통신과 와이파이 통신을 포함하여 GaAs 기판에 의해 제조된 RF 기기는 일반적으로 무선 통신 응용프로그램에서 사용됩니다.
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비소화 갈륨 실리콘 웨이퍼 |
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성장법 |
VGF |
| 타입을 수행하세요 | S-C-N |
| 불순물 | 비소화 갈륨 실리콘 |
| 배향 | (100)15' ±0.5' 꺼짐 상태 토바르트아<111> |
| 방향 각도 | 0' |
| OF 배향 | EJ[0-1-1]±0.5' |
| OF 길이 (밀리미터) | 17±1 |
| 조건 배향 | EJ[0-11]±0.5' |
| 조건 길이(MM) | 7±1 |
| 지름(MM) | 50.8±0.2 |
| CC(/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| 저항률(ohm.cm) | 이용 불가능 |
| Mobility(cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| 두께(um) | 350±20 |
| TTV(um) | <10> |
| TTR(um) | <10> |
| 활(um) | <15> |
| 날실(um) | <15> |
| 서피스 | Side1 :닦은 Side2 :에칭됩니다 |
| 패키징 | 카세트 또는 단일 |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
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입금 <>
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