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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | GaAs-Si 웨이퍼 | 성장법: | VGF |
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| 행동 유형: | S-C-N | 도펀트: | GaAs-Si |
| 오리엔테이션 각도: | 0° | 오리엔테이션: | EJ[0-1-1]±0.5° |
| 강조하다: | 17 밀리미터 GAA epi 웨이퍼,에피택셜 웨이퍼 50.8 밀리미터,비소화 갈륨 epi 웨이퍼 50.8 밀리미터 |
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17±1mm OF 길이 2 인치 비소화 갈륨 (100) 언도핑된 기판 50.8±0.2mm
개관
비소화 갈륨을 기반으로 하는 효율이 높은 광전관 패널의 변환 효율은 최고 40%까지 입니다. 요즈음, 그와 같은 광전관 판은 넓게 무인 항공기와 태양 자동차 적용에서 사용됩니다.
비소화 갈륨 앱은 고주파 IC (RFIC)와 더불어, 광섬유 전송에 걸쳐 이어지는 산업을 위한 트랜지스터, 무선 망 (WLAN), 이동핸드셋, 블루투스 통신, 위성 통신, 5G를 위한 집적화 기술 (물건 마이크로파 집적 회로)의 큰 다양성을 다룹니다.
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비소화 갈륨 실리콘 웨이퍼 |
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성장법 |
VGF |
| 타입을 수행하세요 | S-C-N |
| 불순물 | 비소화 갈륨 실리콘 |
| 배향 | (100)15' ±0.5' 꺼짐 상태 토바르트아<111> |
| 방향 각도 | 0' |
| OF 배향 | EJ[0-1-1]±0.5' |
| OF 길이 (밀리미터) | 17±1 |
| 조건 배향 | EJ[0-11]±0.5' |
| 조건 길이(MM) | 7±1 |
| 지름(MM) | 50.8±0.2 |
| CC(/c.c.) | 0.4E18~1E18 |
| 저항률(ohm.cm) | 이용 불가능 |
| Mobility(cm2/v.s) | ≥1000 |
| EPD(/cm2) | ≤5000 |
| 두께(um) | 350±20 |
| TTV(um) | <10> |
| TTR(um) | <10> |
| 활(um) | <15> |
| 날실(um) | <15> |
| 서피스 | Side1 :닦은 Side2 :에칭됩니다 |
| 패키징 | 카세트 또는 단일 |
우리에 대하여
우리는 다양한 재료를 웨이퍼로 처리하는 것을 전문으로 합니다, 기판과 주문 제작된 광학유리 parts.components가 넓게 전자공학, 광학, 옵토 일렉트로닉스와 많은 다른 분야에 사용했습니다. 우리가 또한 밀접하게 많은 국내이고 해외 대학, 조사 기관과 회사와 함께 일했다고 그들의 연구 개발 사업을 위한 주문 제작된 제품 및 서비스가 규정합니다. 우리의 좋은 평판에 의해 우리의 모든 고객들과 협력의 좋은 관계를 유지하는 것은 우리의 비전입니다.
FAQ
큐 : 당신이 업체 또는 제조를 거래하고 있습니까 ?
우리는 공장입니다.
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일반적으로 상품이 주식에 있다면 그것은 3-5 일입니다.
또는 상품이 주식에 없으면 그것은 7-10 일입니다, 양에 따른 중입니다.
큐 : 당신은 샘플을 제공합니까 ? 그것이 자유롭거나 여분입니까 ?
예, 우리는 자유 전하를 위한 샘플을 제공할 수 있지만, 화물의 비용을 지불하지 않습니다.
큐 : 당신의 결제 조건이 무엇입니까 ?
입금 <>
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담당자: Xiwen Bai (Ciel)
전화 번호: +8613372109561
