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제품 상세 정보:
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| 상품 이름: | 2인치 GaAs(100) 도핑되지 않은 기판 | 성장법: | VGF |
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| 오리엔테이션 각도: | 0° | 오리엔테이션: | EJ[0-1-1]±0.5° |
| OF 길이(mm): | 17±1 | IF 오리엔테이션: | EJ[0-11]±0.5° |
| 강조하다: | VGF GaAs Epi 웨이퍼,GaAs 웨이퍼 두께 350um,GaAs Epi 웨이퍼 측면 연마 |
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2인치 GaAs(100) 도핑되지 않은 기판
개요
GaAs Wafer의 Gallium arsenide는 전기로부터 직접적인 방식으로 레이저 광을 발생시키는 특성을 갖는다.GaAs 웨이퍼에는 두 가지 유형이 있습니다.다결정 및 단결정.이 웨이퍼는 LED, 마이크로웨이브 회로 및 LD를 만들기 위해 마이크로 전자 및 광전자 생산에 활용됩니다.태양광 패널에도 배치됩니다.
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GaAs-Si 웨이퍼 |
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성장 방법 |
VGF |
| 행동 유형 | SCN |
| 도펀트 | GaAs-Si |
| 정위 | (100)<111>A 쪽으로 15°±0.5° 꺼짐 |
| 오리엔테이션 각도 | 0° |
| 오리엔테이션 | EJ[0-1-1]±0.5° |
| OF 길이(mm) | 17±1 |
| IF 오리엔테이션 | EJ[0-11]±0.5° |
| IF 길이(mm) | 7±1 |
| 지름(mm) | 50.8±0.2 |
| CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
| 비저항(ohm.cm) | 해당 없음 |
| 이동성(센티미터2/vs) | ≥1000 |
| EPD(/센티미터2) | ≤5000 |
| 두께(음) | 350±20 |
| TTV(음) | <10 |
| TTR(음) | <10 |
| 활(음) | <15 |
| 날실(음) | <15 |
| 표면 | Side1:광택 Side2:에칭 |
| 포장 | 카세트 또는 싱글 |
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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