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제품 소개GaAs 에피 웨이퍼

반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS

인증
중국 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 인증
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반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS

반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS
반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS

큰 이미지 :  반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS

제품 상세 정보:
원래 장소: 스초우 중국
브랜드 이름: GaNova
인증: UKAS/ISO9001:2015
모델 번호: JDCD10-001-002
결제 및 배송 조건:
포장 세부 사항: 클래스 10000 클린룸 환경에서 25개 카세트 또는 단일 웨이퍼 컨테이너로 진공 포장합니다.
배달 시간: 3~4주
지불 조건: 전신환
공급 능력: 10000 PC / 달

반도체 화합물 2inch GaAs Epi 웨이퍼 GaAs Si 웨이퍼 UKAS

설명
상품 이름: GaAs(100) 도핑되지 않은 기판 도펀트: GaAs-Si
오리엔테이션 각도: 오리엔테이션: EJ[0-1-1]±0.5°
OF 길이(mm): 17±1 IF 오리엔테이션: EJ[0-11]±0.5°
강조하다:

GaAs Epi 웨이퍼 UKAS

,

2inch GaAs Si 웨이퍼

,

반도체 갈륨 비소 웨이퍼

GaAs-Si 웨이퍼 2인치 GaAs(100) 도핑되지 않은 기판(100)<111>A 쪽으로 15°±0.5° 꺼짐

 

개요

갈륨 비소(화학식 GaAs)는 일부 다이오드, 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 집적 회로(IC)에 사용되는 반도체 화합물입니다.대부분이 전자인 전하 캐리어는 원자 사이에서 고속으로 이동합니다.따라서 GaAs 구성 요소는 초고주파 및 빠른 전자 스위칭 응용 분야에서 유용합니다.GaAs 장치는 대부분의 다른 유형의 반도체 부품보다 잡음이 적습니다.이것은 약한 신호 증폭에서 중요합니다.

 

GaAs-Si 웨이퍼

성장 방법

VGF
행동 유형 SCN
도펀트 GaAs-Si
정위 (100)<111>A 쪽으로 15°±0.5° 꺼짐
오리엔테이션 각도
오리엔테이션 EJ[0-1-1]±0.5°
OF 길이(mm) 17±1
IF 오리엔테이션 EJ[0-11]±0.5°
IF 길이(mm) 7±1
지름(mm) 50.8±0.2
CC(/cc) 0.4E18~1E18
비저항(ohm.cm) 해당 없음
이동성(센티미터2/vs) ≥1000
EPD(/센티미터2) ≤5000
두께(음) 350±20
TTV(음) <10
TTR(음) <10
활(음) <15
날실(음) <15
표면 Side1:광택 Side2:에칭
포장 카세트 또는 싱글

 

 

회사 소개

우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.

 

자주하는 질문

Q: 당신은 무역 회사입니까 아니면 제조업체입니까?
우리는 공장입니다.
Q: 배달 시간은 얼마나 걸립니까?
상품의 재고가 있는 경우 일반적으로 3-5일입니다.
또는 상품의 재고가 없는 경우 7-10일입니다. 수량에 따라 다릅니다.
Q: 샘플을 제공합니까?무료인가요 추가인가요?
예, 샘플을 무료로 제공할 수 있지만 운임은 지불하지 않습니다.
Q: 지불 조건은 무엇입니까?
결제 <=5000USD, 100% 선불.
Paymen >=5000USD, 미리 80% T/T, shippment 전에 균형.

 

연락처 세부 사항
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

담당자: Xiwen Bai (Ciel)

전화 번호: +8613372109561

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