제품 상세 정보:
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상품 이름: | GaAs(100) 도핑되지 않은 기판 | 도펀트: | GaAs-Si |
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오리엔테이션 각도: | 0° | 오리엔테이션: | EJ[0-1-1]±0.5° |
OF 길이(mm): | 17±1 | IF 오리엔테이션: | EJ[0-11]±0.5° |
강조하다: | GaAs Epi 웨이퍼 UKAS,2inch GaAs Si 웨이퍼,반도체 갈륨 비소 웨이퍼 |
GaAs-Si 웨이퍼 2인치 GaAs(100) 도핑되지 않은 기판(100)<111>A 쪽으로 15°±0.5° 꺼짐
개요
갈륨 비소(화학식 GaAs)는 일부 다이오드, 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 집적 회로(IC)에 사용되는 반도체 화합물입니다.대부분이 전자인 전하 캐리어는 원자 사이에서 고속으로 이동합니다.따라서 GaAs 구성 요소는 초고주파 및 빠른 전자 스위칭 응용 분야에서 유용합니다.GaAs 장치는 대부분의 다른 유형의 반도체 부품보다 잡음이 적습니다.이것은 약한 신호 증폭에서 중요합니다.
GaAs-Si 웨이퍼 |
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성장 방법 |
VGF |
행동 유형 | SCN |
도펀트 | GaAs-Si |
정위 | (100)<111>A 쪽으로 15°±0.5° 꺼짐 |
오리엔테이션 각도 | 0° |
오리엔테이션 | EJ[0-1-1]±0.5° |
OF 길이(mm) | 17±1 |
IF 오리엔테이션 | EJ[0-11]±0.5° |
IF 길이(mm) | 7±1 |
지름(mm) | 50.8±0.2 |
CC(/cc) | 0.4E18~1E18 |
비저항(ohm.cm) | 해당 없음 |
이동성(센티미터2/vs) | ≥1000 |
EPD(/센티미터2) | ≤5000 |
두께(음) | 350±20 |
TTV(음) | <10 |
TTR(음) | <10 |
활(음) | <15 |
날실(음) | <15 |
표면 | Side1:광택 Side2:에칭 |
포장 | 카세트 또는 싱글 |
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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