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led sapphire substrate r9 온라인 제조

(13)

R Type 50mm 사파이어 웨이퍼 두께 420μm OF 길이(mm) 16 LED chip
접촉

50mm Sapphire Substrate Wafer High Purity Al2O3(＞99.995%) Thickness 430 ± 10 μm JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430um, ... 자세히보기

2023-02-17 11:23:22

광전자 공학 연마 사파이어 크리스탈 웨이퍼 R 유형
접촉

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , ... 자세히보기

2023-02-17 11:22:48

평면 표면 방향 사파이어 웨이퍼 거울 광택 EPI 준비
접촉

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate ... 자세히보기

2023-02-17 10:18:27

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GaN 에피택셜 웨이퍼

원문대로 에피택셜 웨이퍼

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GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP