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single crystal diamond wafer 온라인 제조

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주문 먼 적외선에 3.515g/cm3 CVD 다이아몬드 기질 광선 투과율 225nm 온라인으로 제조 업체

먼 적외선에 3.515g/cm3 CVD 다이아몬드 기질 광선 투과율 225nm
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2022-09-27 17:12:16
주문 JDCD05-001-005 5*5mm2*0.5mm 전자 등급 단결정 다이아몬드,N 함량 온라인으로 제조 업체

JDCD05-001-005 5*5mm2*0.5mm 전자 등급 단결정 다이아몬드,N 함량
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2022-09-28 15:01:25
주문 JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm 전자 등급 단일 결정 Diamond,N Content<100ppb, XRD<0.015o 열전도율 온라인으로 제조 업체

JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm 전자 등급 단일 결정 Diamond,N Content<100ppb, XRD<0.015o 열전도율
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2022-09-28 15:02:42
주문 위텀 Ｋ 1000 ~ 2000 CVD 다이아몬드 기판 열전도율 300K 온라인으로 제조 업체

위텀 Ｋ 1000 ~ 2000 CVD 다이아몬드 기판 열전도율 300K
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2022-09-27 17:13:12
주문 실리콘 웨이퍼 GaN 기판 위의 앞 조도 GaN 온라인으로 제조 업체

실리콘 웨이퍼 GaN 기판 위의 앞 조도 GaN
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2022-10-08 17:19:48
주문 SP 페이스 5 X 10mm2 질화 갈륨 기판 350um 온라인으로 제조 업체

SP 페이스 5 X 10mm2 질화 갈륨 기판 350um
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2022-10-08 16:41:01
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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