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권장 제품
SP-Face 11-12 도핑되지 않은 N형 독립 GaN 단일 결정 기판 저항성 0.05 Ω·cm 매크로 결함 밀도 0cm−2

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JDCD10-001-002 2인치 GaAs (100) Si 도핑 기판

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JDCD10-001-003 2인치 GaAs ((100) Zn 도핑 기판

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JDCD10-001-004 2 인치 GaAs (111) Si 도핑 기판

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JDCD10-001-005 2 인치 GaAs ((111) Zn 도핑 기판

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JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn 도핑 독립형 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마

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JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((오프 6°) Fe 도핑 된 자유 서 있는 Ga2O3 단일 크리스탈 기판 제품 등급 단일 닦기

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JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) SN 투여된 자유 고정 Ga2O3 단결정체 기판 생성물 등급은 끝마무리를 선발합니다

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350 ± 25μm 두께 도핑되지 않은 N형 독립적인 GaN 단일 크리스탈 기판 TTV ≤ 10μm 및 저항성 0.1 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Face 비 도핑 N형 자유 서 있는 GaN 단일 크리스탈 기판 20-21 / 20-2-1 10mm2 저항성 0.05 Ω·cm

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JDCD06-001-005 6인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치 통합 회로 디스크리트 장치용 전용 기판

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JDCD06-001-004 5인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치 통합 회로 디스크리트 장치의 전용 기판

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10*10.5mm2 C-Face Fe-Doped SI형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 매크로 결함 밀도 0cm−2 TTV ≤ 10μm 저항성 106 Ω·Cm RF 장치 웨이퍼

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JDCD06-001-006 8인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치 통합 회로 디스크리트 장치의 전용 기판

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JDCD06-001-007 12인치 실리콘 웨이퍼 MEMS 장치 통합 회로 디스크리트 장치용 전용 기판

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전력장치 5x10mm2 도핑되지 않은 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판, 저항성 0.1 Ω·cm 및 10μm 내의 BOW

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5x10mm2 SP-Face 10-11 TTV ≤ 10μm 저항성 0.05 Ω·cm

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5*10mm2 SP-Face 10-11 비 도핑 된 N형 독립 GaN 단일 크리스탈 기판 0.1 Ω·cm 전력 장치에 대한 저항성

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매크로 결함 밀도 0cm−2 비 도핑된 SI형 자립 GaN 단일 크리스탈 기판 RF 장치 5*10mm2 M면

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TTV ≤ 10μm A-Face 무도핑 N형 자유자재 GaN 단일 크리스탈 기판 저항성 0.1 Ω·cm 전력 장치/레이저 W

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