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제품 상세 정보:
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| 두께: | 0.6~0.8mm | 상품 이름: | 단결정체 기판 |
|---|---|---|---|
| 배향: | (100)오프 6° | 도핑: | Fe |
| FWHM: | <350arcsec> | Ra: | ≤5nm |
10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped 독립 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마 두께 0.6~0.8mm FWHM<350arcsec,Ra≤5nm 광전자 소자, 반도체 재료의 절연층, UV 필터
GaN은 훨씬 더 높은 스위칭 주파수를 유지할 수 있는 용량이 있기 때문에 질화 갈륨 장치는 실리콘 장치에 비해 전력 밀도가 크게 향상됩니다.또한 고온을 견디는 능력이 향상되었습니다.
질화갈륨은 우르츠광형 구조를 갖는 다이렉트 밴드 갭 반도체(밴드 갭 = 3.4eV)이며 부식 환경을 견딜 수 있는 발광 장치를 만드는 데 사용되는 재료입니다.질화 갈륨은 1000°C 정도의 고온에서 NH3와 Ga2O3의 반응에 의해 제조됩니다.
| 갈륨 질화물 기질--연구 수준 | |
| 치수 | 10*10mm |
| 두께 | 0.6~0.8mm |
| 정위 | (100)오프 6° |
| 도핑 | 철 |
| 광택 표면 | 단면 연마 |
| 비저항/Nd-Na | / |
| FWHM | <350arcsec |
| 라 | ≤5nm |
| 패키지 | 클래스 100 클린룸 환경, 질소 분위기에서 포장 |
회사 소개
우리는 전자, 광학, 광전자 및 기타 여러 분야에서 널리 사용되는 웨이퍼, 기판 및 맞춤형 광학 유리 부품으로 다양한 재료를 가공하는 것을 전문으로 합니다.우리는 또한 많은 국내 및 해외 대학, 연구 기관 및 기업과 긴밀히 협력하여 R&D 프로젝트를 위한 맞춤형 제품 및 서비스를 제공하고 있습니다.좋은 평판을 통해 모든 고객과 좋은 협력 관계를 유지하는 것이 우리의 비전입니다.
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