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ga2o3 substrate single crystal 온라인 제조

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구입하다 단 하나 측에 의하여 닦는 Ga2O3 기질 단결정 간격 0.6mm 0.8mm 온라인으로 제조업체

단 하나 측에 의하여 닦는 Ga2O3 기질 단결정 간격 0.6mm 0.8mm
접촉

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product ... 자세히보기
2023-02-17 14:30:35
구입하다 FWHM<350arcsec Ga2O3 웨이퍼 단결정체 기판 두께 0.6 밀리미터 내지 0.8 밀리미터 온라인으로 제조업체

FWHM<350arcsec Ga2O3 웨이퍼 단결정체 기판 두께 0.6 밀리미터 내지 0.8 밀리미터
접촉

FWHM 자세히보기
2023-02-17 14:17:37
구입하다 반도체 단일 결정 산화갈륨 기판 UID 도핑 온라인으로 제조업체

반도체 단일 결정 산화갈륨 기판 UID 도핑
접촉

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM 자세히보기
2022-10-09 10:30:43
구입하다 Ga2O3 Fe 도핑된 웨이퍼 단결정 기판 10x10mm2 프리 스탠딩 온라인으로 제조업체

Ga2O3 Fe 도핑된 웨이퍼 단결정 기판 10x10mm2 프리 스탠딩
접촉

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm ... 자세히보기
2022-10-09 10:34:19
구입하다 JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((오프 6°) Fe 도핑 된 자유 서 있는 Ga2O3 단일 크리스탈 기판 제품 등급 단일 닦기 온라인으로 제조업체

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((오프 6°) Fe 도핑 된 자유 서 있는 Ga2O3 단일 크리스탈 기판 제품 등급 단일 닦기
접촉

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) SN 투여된 자유 고정 Ga2O3 단결정체 기판 생성물 등급은 끝마무리를 선발합니다 온라인으로 제조업체

JDCD04-001-002 10x10mm2 (-201) SN 투여된 자유 고정 Ga2O3 단결정체 기판 생성물 등급은 끝마무리를 선발합니다
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10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn 도핑 독립형 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마 온라인으로 제조업체

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn 도핑 독립형 Ga2O3 단결정 기판 제품 등급 단일 연마
접촉

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm ... 자세히보기
2025-04-27 11:43:51
구입하다 일 측면 닦은 Ga2O3 웨이퍼 단결정체 기판 온라인으로 제조업체

일 측면 닦은 Ga2O3 웨이퍼 단결정체 기판
접촉

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:58
구입하다 Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치 온라인으로 제조업체

Ra 0.3nm Ga2O3 단결정 에피택셜 웨이퍼 2 인치 4 인치
접촉

Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product ... 자세히보기
2023-02-17 14:34:04
구입하다 Sn 도핑 Ga2O3 웨이퍼 단결정 기판 10x10mm2 온라인으로 제조업체

Sn 도핑 Ga2O3 웨이퍼 단결정 기판 10x10mm2
접촉

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm ... 자세히보기
2024-10-29 11:49:58
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약

GaN 에피택셜 웨이퍼

2 인치 GaN 에피택셜 웨이퍼 Ｃ 표면 Fe 도핑된 실리콘 타입 자립형

Fe는 GaN 기판 Resistivity > 106 Ω·Cm RF 장치에게 도핑했습니다

2인치 독립형 SI-GaN 기판

원문대로 에피택셜 웨이퍼

Beveling SiC 에피택셜 웨이퍼 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H 결정 형태 SiC 에피택셜 웨이퍼 웨이퍼 가장자리 베벨링 350.0um ± 25.0um

단일 결정 sic 에피택셜 웨이퍼 C-표면 광학 폴란드 Si 면 CMP

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